作者 | 張真
今日，韓國產業通商資源部長官金正官表示，計劃投資800萬億韓元（約5180億美元）在韓國西南部建設四座半導體制造廠，預計在五年內將DRAM生產能力翻倍，預計全球內存市場將在5年內增長四倍。
金正官指出，韓國計劃加快西南地區的審批和建設，以迅速擴大存儲芯片產能。韓國中部地區將重點發展先進封裝技術，而東南部地區將發展成為半導體材料、零部件和設備以及下一代功率芯片的中心。
與此同時，存儲巨頭也相繼開啟大規模擴產計劃。
三星電子會長李在镕和SK集團會長崔泰源在今日會議上共同宣布一項在未來10年內總額高達2000萬億韓元（約1.3萬億美元）的跨時代本土投資計劃。其核心是打破傳統的首都圈集中模式，向以全羅道為中心的西南地區進行大舉投資。
其中，三星電子計劃將光州原空軍基地選為半導體前道工序晶圓廠（Fab）的核心選址，預計建設4-5座晶圓廠；SK海力士也將在光州打造4-5座前道晶圓廠。僅在半導體新設項目上，兩家巨頭的投資額預計將各達600萬億韓元，遠超此前京畿道龍仁集群的規模。
為支撐存儲擴產計劃，存儲巨頭正競相加大設備與材料供應。如SK海力士明確表示將利用赴美上市募資所得進行設備采購、存儲材料訂單。該公司正在為清州P&T6封裝測試工廠引進額外設備，以應對第六代高帶寬內存（HBM4）封裝與測試需求。
東吳證券表示，當前SK海力士全力推進擴產，規劃五年內晶圓產能翻倍、2034年產能擴至三倍，2026年資本支出將大幅高于去年，大幅拉升了上游設備采購需求，半導體設備迎來賣方市場。存儲擴產有望帶動半導體設備放量，看好相關設備商和零部件的出海機遇，同時國產化替代進程加速，設備需求有望放量。
華泰證券指出，伴隨存儲企業擴產，全球半導體材料市場有望迎來快速增長。此外，當前我國半導體材料國產化率整體仍較低，伴隨自主可控要求提高、國內企業產品競爭力提高，國產化率有望提高。
據《科創板日報》不完全統計，A股以下半導體設備與材料公司已進入韓國存儲供應鏈：
