三星電子近日提交了一項新型半導體封裝專利，專利號為KR20260040407A。該專利針對高堆疊HBM4E與HBM5制程中的可靠性瓶頸實施結構革新。
行業正從8層向16層乃至更高堆疊邁進，頂層虛擬芯片引發的可靠性問題正成為各家廠商必須跨越的門檻。
HBM封裝在基底芯片上垂直堆疊存儲裸片，頂部覆蓋一層虛擬芯片用于保持封裝高度并提供機械保護與散熱。
當堆疊從8層增至12層時，良率已下滑10至20個百分點。達到16層以上時，翹曲、分層與裂紋問題導致良率大幅跌至40%至60%。
三星的新方案將頂層虛擬芯片設計為底部收窄、頂部加寬的倒金字塔形態。側壁采用三級階梯與曲面復合結構。該設計使底面粘接界面更窄、頂面更寬，相比傳統垂直側壁大幅提升了機械強度。
制造工藝上，引入深槽切割激光技術。相比傳統機械刀片切割，該工藝能實現更深更精密的切割，同時減少對半導體晶體結構的損傷。在非鍵合區預設溝槽，防止切割碎屑污染鍵合界面。
熱管理方面，將鍵合絕緣層底面與水平延伸面之間的垂直距離精確控制在1至10微米之間。
此外還通過優化凸起表面結構縮減塑封料體積，改善散熱路徑。三星計劃將此項技術與混合鍵合及HPB熱阻斷技術整合。
HBM5規劃提供12層、16層及20層堆疊配置。三星已在電腦展上展示HBM5原型產品，目標2028年左右實現量產。
TrendForce預測2026年全球存儲芯片市場規模將飆升至約5516億美元。對三星而言，這塊虛擬芯片的技術突破關系到萬億級別市場的成敗。
該工廠是SK集團在忠清地區170萬億韓元（約合人民幣7442億元）投資藍圖的核心一環，整個投資涵蓋先進封裝、人工智能數據中心等關鍵領域，旨在打造全球AI產業高地。
具體項目方面，SK集團將在清州投入80萬億韓元（約合人民幣3501億元）建設新NAND晶圓廠“M17”，另投資20萬億韓元（約合人民幣875億元）建設先進封裝廠“P&T7”，并配套建設1GW級AI數據中心。
三者疊加，使忠清地區總投資規模達到170萬億韓元。其中，M17工廠占地面積達15.8萬平方米（約4.8萬坪），計劃于明年動工，目標在2029年上半年竣工投產。
SK海力士首席執行官郭魯正表示：“隨著AI服務全面啟動，NAND與高帶寬存儲器（HBM）、DRAM的需求正爆發式增長。與此同時，NAND供應卻出現短缺，因此必須擴大生產線?！?/span>
他進一步指出，NAND已不再局限于傳統數據存儲功能，而是成為支撐圖形處理器（GPU）和HBM運行、處理海量數據并提升AI計算效率的核心組件。
本輪存儲板塊集體跳水的核心導火索，是海外傳出Meta計劃處置閑置AI算力的消息，市場擔憂云廠商AI資本開支周期見頂，未來HBM、DRAM、NAND采購需求會持續收縮，此前依靠AI算力預期持續走牛的存儲芯片板塊集體遭遇獲利盤集中拋售。
隔夜美股費城半導體指數大跌超6%，美光、西部數據等存儲企業同步暴跌，負面情緒傳導至亞洲日韓市場，三星電子、鎧俠同步出現大幅下跌。
多重負面預期疊加放大了股價波動，投資者擔憂SK海力士大規模擴產會在2029年后造成存儲產能過剩，屆時芯片價格再度進入下行周期，拉長投資回本周期。
