針對EXPO ULL系列內存與普通EXPO內存之間出現的大幅價差爭議，芝奇作出回應，稱價差并非來自ULL產品的溢價定價，而是因為零售商目前仍在銷售內存漲價前購入的舊庫存，即普通款內存還沒漲到位。
在Computex上發布EXPO ULL（超低延遲）技術時，AMD高管David McAfee曾表示ULL內存套裝將以與普通EXPO相近的價格推出。
然而實際上市后價差遠超預期，32GB DDR5-6000 CL36套裝普通EXPO版售價499美元，EXPO ULL版549美元；高端CL26時序的ULL套裝與普通版價差更是達到500美元。
芝奇在回應中表示，目前EXPO ULL內存的定價已經與普通EXPO產品保持一致，但零售商手中仍在銷售的普通EXPO庫存多為漲價前或漲價初期購入，成本基數較低，因此終端售價顯得便宜。
EXPO ULL作為新品，所用顆粒全部按當前市場成本采購，自然高于舊庫存定價。芝奇還強調，這種價差是市場過渡期的暫時現象，并非ULL產品的溢價策略。
芝奇指出，隨著現有普通EXPO庫存售罄，零售商補充新貨時，普通EXPO的價格也會向EXPO ULL靠攏。換言之，不是ULL賣貴了，而是普通款還沒漲到位。
內存價格什么時候才能漲到頭呢？根據TrendForce集邦咨詢發布的最新存儲器價格調查，2026年第三季度DRAM合約價預計季度環比增長13%至18%，NAND Flash合約價預計季度環比增長10%至15%。
這是近一年多來存儲漲幅首次跌破20%關口，此前的季度漲幅動輒超過30%。
AI服務器是支撐存儲價格的核心力量。通用型服務器持續作為Agentic AI應用的主要存儲器配置，在CPU供給逐步改善下，服務器整機出貨至2027年將保持強勁。
此外，企業級SSD也因英偉達Vera Rubin平臺逐步出貨而需求旺盛。
但消費端已明顯拉不動了。合約價格已達歷史高點，消費端客戶在需求放緩的情況下對價格承受力已達極限。PC OEM整機庫存偏高，接受新一輪漲價的意愿大幅降低。
智能手機品牌調漲，終端售價平衡LPDRAM成本，反而進一步壓制了整機銷售。
各細分市場走勢出現明顯分化。PC DRAM雖受庫存回補支撐，但原廠持續轉移產能給服務器應用，壓縮了PC DRAM供應規模。
LPDRAM方面，原廠考量AI需求重新調配產出比重，供給維持緊繃。
顯存市場方面，英偉達RTX PRO 6000 Blackwell未如預期創造新一波GDDR7拉貨動能，整體需求偏弱。
消費級應用需求下修疊加高基期效應，是本輪漲幅收斂的直接原因。DRAM和NAND的季度漲幅均從前幾季的高位明顯收窄。
雖然存儲價格仍在上漲，但上漲的坡度正在變得平緩。對于等了近兩年的消費者而言，拐點的信號已經出現。
新品方面，閃迪與鎧俠聯合宣布，第十代BiCS FLASH 3D閃存技術BiCS10正式啟動樣品交付。首款產品為1Tb TLC型號，采用332層堆疊設計。
BiCS10在技術架構上延續了BiCS8時代就已采用的兩大核心工藝。其一是CMOS直接鍵合到陣列技術，將CMOS邏輯電路與存儲陣列分別在不同晶圓上制造，再通過高精度晶圓對晶圓對準鍵合。
其二是間距選擇柵極漏極技術，通過優化存儲單元的排列布局來提升密度。這兩項技術的成熟與迭代，為BiCS10實現332層堆疊和4.8Gb/s接口速度提供了底層支撐。
性能方面，BiCS10的NAND接口速度達到4.8Gb/s，較BiCS8提升了33%。位密度提升59%，實現了超過29Gb/mm2的業界領先存儲密度。
能效表現方面，輸入功耗較BiCS8降低10%，輸出功耗降低34%。寫入能效提升18%，讀取能效提升30%。
技術層面，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口標準、SCA協議及PI-LTT低功耗技術。
鎧俠預測2026至2028年NAND市場整體出貨容量復合年增長率為22%，其中數據中心領域增速達46%。
兩家公司均未將BiCS10定位為消費級產品，目前沒有公布具體的單顆售價。該技術將優先應用于企業級與數據中心固態硬盤，專為AI訓練、推理及大規模云工作負載設計。
