當地時間7月3日，鎧俠宣布，其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片已送樣。
據日經新聞報道，鎧俠預計在2027年啟動量產。
第十代NAND是鎧俠迄今技術規格最高的閃存產品，將應用于數據中心的固態硬盤產品線中，以滿足日益增長的AI存儲需求，并將采用鎧俠位于日本巖手縣北上工廠Fab2的先進設備進行生產。
鎧俠介紹，通過利用CBA（CMOS直接鍵合陣列）技術以及OPS（間距選擇柵極漏極）技術，新產品實現了4.8Gb/s的NAND接口速度。與第八代產品相比，性能提升了33%；通過堆疊332層并提高橫向密度，新產品位密度提高了59%（產品密度是指產品內部存儲芯片的密度，而非最終用戶可用于數據存儲的內存容量）；此外，寫入和讀取的功耗效率分別提高了18%和30%，有助于降低數據中心和企業基礎設施的能耗。
鎧俠5月15日發布財報指引稱，受AI產業普及帶動，數據中心存儲需求將持續高景氣，公司預計2026財年第二季度（4-6月）合并營業收入同比大幅增長410%，至1.75萬億日元；合并營業利潤同比暴漲2791%，達到1.298萬億日元；合并凈利潤同比飆升4649%，錄得8690億日元，營收、營業利潤、凈利潤三項指標均將刷新歷史紀錄。
針對NAND閃存行業前景，鎧俠判斷：2026年行業增速預計為15%-19%，到2027年市場將進入供不應求的階段。
在6月25日的股東大會上，鎧俠總裁兼CEO Hiroo Ota表示，收到了許多客戶希望簽訂長期協議（LTA）的請求，NAND閃存業務的核心是AI，尤其受益于推理AI，隨著AI智能體的興起以及AI技術在機器人等領域的應用普及，閃存市場的擴張空間將進一步打開。
鎧俠發布新品的同時，韓國廠商正加緊擴產。
SK海力士7月2日宣布，計劃在忠清北道清州市投資100萬億韓元進行大規模擴產，其中，SK海力士將于明年啟動全新晶圓廠“M17”的建設，預計在2029年前投入80萬億韓元（約514.6億美元）用于NAND閃存芯片生產。
另外，三星電子也計劃在其平澤園區P5工廠新建NAND生產線，潔凈室預計明年完工。若計劃落實，這將是三星自P3工廠以來首次大規模擴充NAND產能。
不過當下，由于消費端需求放緩，機構預計NAND閃存的漲價幅度可能放緩。
根據TrendForce集邦咨詢最新存儲器價格調查，2026年第三季，NAND Flash主要需求仍由AI推理與大型數據中心建設支撐，但因合約價格已達歷史高點，消費端客戶在需求放緩的情況下，對價格承受力已達極限，預估整體NAND Flash合約價將季增10-15%，幅度較前幾季明顯縮減。
