7月11日，江蘇省科技廳公示首批企業主導省級重點實驗室籌建名單，江蘇長晶科技股份有限公司牽頭、聯合南京郵電大學共建的“江蘇省新型功率半導體重點實驗室”正式入選籌建序列。
圖片來源：公示名單截圖
實驗室面向能源轉型、集成電路自主可控需求，瞄準新型功率半導體共性技術瓶頸，規劃四大核心攻關方向：高性能SGT器件及先進封裝技術、極致CSP晶圓級功率器件研究、高功率密度IGBT產品開發、第二代1200V SiC MOSFET關鍵技術與產業化落地。平臺構建“器件理論創新—芯片研發—設計方法迭代—系統集成應用”完整創新鏈條，推動基礎研究成果快速向量產產品轉化。
依托#長晶科技 IDM垂直一體化布局優勢，疊加南京郵電大學在功率器件物理、先進封測領域科研與人才儲備，實驗室采用企業主導、高校協同的產學研模式。長晶科技擁有從芯片設計、晶圓制造到封裝測試全鏈條能力，主營MOSFET、IGBT、電源管理IC等產品，廣泛應用于消費電子、工業控制、新能源汽車等賽道；本次省級重點實驗室落地，將進一步補齊前沿技術預研平臺。
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放眼國內功率半導體產業，新能源、儲能、車載電子持續拉動硅基高端功率器件與碳化硅器件需求。傳統硅基MOSFET持續向低內阻、小型化CSP封裝演進；SiC器件逐步從車規主驅拓展至儲能、工控場景，但第二代SiC MOSFET在可靠性、成本層面仍存在諸多工程難題。國內廠商普遍面臨前沿基礎研發投入不足、實驗室成果難以規模化量產等痛點。
江蘇省近期啟動首批企業牽頭省重點實驗室建設，鼓勵龍頭企業作為創新主體，直面產業真實技術難題。同期省內多家功率半導體企業相繼啟動創新平臺建設，推動江蘇形成硅基功率器件與第三代半導體協同發展格局。長晶科技實驗室兼顧硅基高端分立器件與碳化硅寬禁帶器件研發，和省內其他功率半導體創新平臺形成差異化互補。
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●落戶武漢光谷！芯聯集成與湖北九峰山實驗室等簽約
●SK啟方半導體開發450~2300V碳化硅平面MOSFET工藝平臺
●納微半導體與兆易創新成立聯合實驗室，涉及碳化硅、氮化鎵領域
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