韓國大尺寸SiC MOSFET獲新進(jìn)展

7月15日，韓國媒體《首爾新聞》報(bào)道，韓國功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)RootSemicon與碳化硅專業(yè)晶圓制造商SK Powertec聯(lián)合研發(fā)的1200V/11mΩ大尺寸SiC MOSFET取得關(guān)鍵進(jìn)展，芯片首輪工程流片平均良率達(dá)到80%。

雙方于今年4月正式簽署SiC MOSFET晶圓代工產(chǎn)品開發(fā)協(xié)議，啟動(dòng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目；5月完成這款高壓碳化硅器件首次流片（Tape Out），6月29日實(shí)現(xiàn)晶圓下線（Fab Out），隨后順利完成首輪工程批次性能與良率驗(yàn)證。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，大尺寸高壓SiC MOSFET制造工藝難度較高，項(xiàng)目在開發(fā)初期便實(shí)現(xiàn)80%平均良率，印證芯片設(shè)計(jì)方案與代工制造工藝具備較高成熟度。

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公開資料顯示，#RootSemicon 專注碳化硅功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)，持續(xù)布局高壓SiC器件研發(fā)；SK Powertec是韓國本土具備SiC器件量產(chǎn)能力的專業(yè)晶圓代工廠。本次合作整合雙方設(shè)計(jì)與制造優(yōu)勢，意在搭建韓國本土高性能碳化硅器件開發(fā)鏈條，降低當(dāng)?shù)禺a(chǎn)業(yè)對海外晶圓代工渠道的依賴，推進(jìn)SiC功率器件本土化發(fā)展。

該款1200V SiC MOSFET面向800V平臺電動(dòng)汽車車載電驅(qū)系統(tǒng)、儲能變流器、大功率工業(yè)電源、直流快充樁等主流場景。相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，碳化硅器件具備低開關(guān)損耗、耐高溫、高功率密度等優(yōu)勢，是新能源產(chǎn)業(yè)升級的核心元器件。

按照現(xiàn)有規(guī)劃，兩家企業(yè)后續(xù)將持續(xù)開展器件長期可靠性測試，持續(xù)優(yōu)化工藝進(jìn)一步抬升良率，并穩(wěn)步推進(jìn)樣品送樣與商業(yè)化籌備工作。依托本次研發(fā)成果，雙方后續(xù)計(jì)劃拓展更多規(guī)格碳化硅功率器件，持續(xù)完善本土SiC產(chǎn)品矩陣。

  

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