在本輪存儲芯片上漲周期中，內存價格猛漲了5倍以上，閃存價格沒這么夸張，相對應的是供需缺口也沒這么快，會比內存更快見頂，明年就能緩解了。
來自調研機構TrendForce的消息稱，雖然服務器占了NAND閃存位元需求的40%以上，但智能手機和平板電腦仍占近40%的份額，因此后者對整體需求依然能產生重大影響。
在庫存方面，存儲制造商的庫存水平仍然相對較低，盡管模組制造商的庫存因消費市場疲軟而有所上升，但其他買家的庫存仍保持在可控范圍內。
綜合這些因素，TrendForce預計2026年NAND閃存位元供需缺口將保持在-4–-5%之間，短缺將持續。
但是他們預計2027年下半年缺口將轉為正值，從而緩解供應緊張的壓力。
簡單來說，閃存會比內存更快見頂，因為內存的需求預計在明年底才能達到平衡，2028年開始過剩，這也跟當前AI市場的需求結構有關，HBM是最缺的，對DRAM內存芯片的產能占用也是最大的，因此缺口較大。
閃存的生產相對內存來說容易些，AI需求占比也就40%，手機、電腦的影響不輸AI，再聯系到今天有消息說小米上調了今年的手機出貨預測，銷量目標回到了1.1億部以上，這也能反映出小米對存儲芯片需求的態度。
總之，盡管上游的內存、閃存芯片廠商還在高喊缺貨到下一個10年，但2027年市場的供需情況肯定會有緩解，而且閃存比內存更快見頂，能讓手機、電腦行業松一口氣，不然真的要被內存閃存芯片拖累嚴重。
另外值得一提的是，在閃存領域國產廠商的崛起速度比內存更快，長江存儲1季度的份額已經到了13%，到了世界第四的位置，他們擴產的速度比國外廠商更激進，今年底進入世界前三都有可能，未來兩年有望沖擊世界第二，徹底改寫閃存芯片的格局。
從供應鏈流出的最新信息顯示，小米已經正式將2026年全年智能手機出貨目標，從原先定的約9000萬部上調至1.1億部，整體增幅達到16%，新增的兩千多萬臺增量產能，主要將向走量的低端機型傾斜。
一位接近小米核心業務層的業內人士透露，這次敢直接上調全年出貨目標，核心原因是小米內部做了預判，當前僵持了很久的存儲芯片行情很快就會迎來反轉，后續采購成本會逐步回落至合理區間。
不少消費電子行業分析師直接點出，小米這次逆勢上調出貨目標，本質上代表著下游終端廠商已經集體對存儲芯片的持續漲價亮起紅燈，整個需求端對成本上漲的容忍度已經觸碰到天花板，延續了一整年的存儲價格上漲動能，很快就會迎來明確拐點。
在本輪存儲芯片價格一路沖高的過程中，上游采購成本的連續上漲給終端廠商帶來了巨大壓力，小米在今年早前就曾兩次下調全年手機出貨目標，盡可能控住產能規模避免成本倒掛。
行業調研數據顯示，存儲相關硬件的成本在千元低端機型的整機BOM物料成本中占比超過30%，本輪存儲漲價直接把低端機的微薄利潤幾乎全部擠壓殆盡，也讓這類產品最早成為廠商產能調整的核心對象。
在廠商方面，三星電子正將V-NAND（垂直堆疊閃存）產能的60%以上分配給英偉達，用于供應AI服務器所需的存儲芯片，同時V10已量產、V11已進入試產階段。
目前三星電子月產能超過10萬片晶圓，其中V9（286層）占60%，V8占比已降至40%以下，去年以來產能快速向V9轉移。
V9良率目前已超80%，進入量產穩定期，平澤P4工廠的NAND潔凈室空間還有超一半可用于擴產。
V10已在今年上半年開始量產，堆疊層數達400層，存儲密度比V9高出50%以上，更值得關注的是，V11（目標400-500層）已進入試產，下半年試產規模將翻倍，為量產積累良率數據。
此外，V10開始規模采用鉬替代傳統鎢作為布線材料，布線厚度減少30%至40%，是業界首次將該材料商業化應用。
這一切的背景是英偉達即將推出的CMX，單套可容納576塊SSD、總容量9600TB。據預計，CMX對NAND的需求將從今年的3500萬TB暴增至明年1億TB以上，而三星電子2026年NAND產量預計約2.5億TB，有望成為CMX核心供應商。
