近期，杭州鎵仁半導體自研自產的氧化鎵（β-Ga?O?）同質厚膜外延片，在西安電子科技大學實驗室完成肖特基勢壘二極管（SBD）無終端結構器件流片制備，各項電學性能參數順利通過可靠性測試驗證，標志其氧化鎵外延材料達到功率器件量產可用水準。
氧化鎵作為第四代超寬禁帶半導體材料，具備超寬帶隙、高擊穿場強等優勢，在高壓快充、光伏逆變器、電網輸電設備、新能源汽車車載功率模塊等場景具備顯著應用潛力，而高質量同質外延片是制造高性能氧化鎵功率器件的核心基底。本次驗證采用無終端簡單結構SBD芯片，重點考核外延層厚度均勻性、晶體質量、載流子濃度控制、界面缺陷密度等關鍵指標，直接檢驗襯底與外延薄膜的工藝穩定性。
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西安電子科技大學在氧化鎵器件設計、工藝流片與可靠性表征領域具備深厚技術積累，本次校企聯合測試相當于完成了材料從實驗室樣品到器件可使用的關鍵一關。鎵仁半導體可依托本次驗證結果，后續迭代優化外延層摻雜精度、表面平整度，推進帶邊緣終端保護結構的高壓大功率SBD、MOSFET器件開發，向下游功率器件廠商送樣導入。
從產業進度來看，當前國內氧化鎵產業仍處于材料打磨與器件小批量試產階段，同質厚膜外延片良率、一致性是規模化放量最大瓶頸。本次器件驗證落地，夯實了鎵仁半導體在氧化鎵外延材料環節的國產替代能力，后續將逐步完善氧化鎵單晶襯底、外延片成套產品矩陣。
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●國產氧化鎵加速出海，穩定供貨歐洲頭部外延企業
●鎵仁半導體推出高性能氧化鎵薄膜外延新品
●全球首條6/8英寸氧化鎵同質外延量產線，建成！
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