超1.5億元融資落地！訂單排至2027年底！這一企業啟動磷化銦擴產

近日，北京銘鎵半導體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導體”）完成Pre-B1輪與Pre-B2輪融資，累計融資金額超過1.5億元。此次融資資金將主要用于磷化銦（InP）多晶材料產能擴張、氧化鎵中試產線建設以及上市籌備等工作。

銘鎵半導體于2020年11月入駐中關村（順義）第三代半導體產業園，是一家聚焦第三代、第四代半導體關鍵材料研發與產業化的高新技術企業。公司目前重點布局磷化銦多晶材料與氧化鎵材料，其中磷化銦多晶材料是其核心業務之一，目標是推動關鍵半導體材料的國產化替代。

近年來，隨著光通信、新能源、高端裝備、功率電子等產業快速發展，市場對于高性能半導體材料的需求持續增長。磷化銦作為重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料，具有優異的光電性能，是光通信、激光器、光電探測器等領域的重要基礎材料；氧化鎵則憑借超寬禁帶特性，被視為下一代功率半導體材料的重要候選之一。兩類材料均處于產業持續推進和國產化加速的關鍵階段。

據介紹，經過多年技術積累，銘鎵半導體已突破多項關鍵核心技術，相關產品已應用于新能源、高端裝備、功率電子、光通信等領域，并進入部分頭部企業供應鏈。目前，公司在手訂單已排產至2027年底，市場需求與現有產能之間存在較為明顯的缺口。

此次融資完成后，銘鎵半導體將進一步推進磷化銦多晶材料擴產計劃，計劃將現有產能提升約200%，以進一步提升客戶交付能力。若擴產順利落地，公司在磷化銦多晶材料領域的規模化供應能力有望進一步增強，同時也將為國內相關產業鏈提供更加穩定的材料供應。

從產業發展角度來看，磷化銦多晶材料雖然處于半導體產業鏈上游，但其質量與供應穩定性直接關系到后續單晶生長、晶圓制造以及光電器件等環節。隨著國內光通信、數據中心、新能源等市場持續發展，對上游關鍵材料的自主供應能力提出了更高要求。在此背景下，銘鎵半導體此次擴產不僅是企業自身產能提升，也有望進一步推動磷化銦關鍵材料的國產化進程。

與此同時，公司同步推進氧化鎵中試產線建設，意味著其業務布局正從磷化銦材料進一步向第四代半導體材料延伸。未來，隨著產能擴張、中試線建設以及資本市場籌備工作的推進，銘鎵半導體有望進一步完善其在新型半導體材料領域的產業化布局。