7月29日，市場研究機構Counterpoint Research發布最新行業分析報告，2026年第二季度智能手機內存價格環比漲幅突破80%。存儲芯片的大幅漲價，直接重構了智能手機整機物料成本結構，全價位段機型生產成本普遍抬升，手機廠商盈利壓力進一步加大。
報告中最引人注目的發現是：DRAM內存已正式超越主芯片SoC，成為旗艦智能手機中造價最高的單一元器件。
全價位段成本飆升，低端機BOM成本漲70%
根據Counterpoint的數據追蹤，2025年第一季度，DRAM+NAND在手機BOM（物料清單）中的合計占比僅為13%；而到2026年第三季度，這一比例預計將飆升至43%。在短短六個季度內，存儲芯片在整機成本中的權重增長超過3倍。
具體來看，2026年第二季度，DRAM在旗艦機BOM中的占比已達24%，NAND占比25%，兩者合計49%；而SoC（主芯片）的占比則從2025年Q1的31%下降至2026年Q2的22%，顯示其已被存儲芯片超越。
存儲漲價的影響波及全價位段機型，且低端機型受沖擊最為嚴重。
·200美元以下低端機型：與2025年同期相比，BOM成本同比上漲70%，成本增量幾乎全部來自存儲芯片。手機廠商只能通過壓縮入門機型訂單、調整產品矩陣來規避單品虧損風險。
·400至600美元中端機型：BOM成本同比上漲52%，存儲已占到整機物料總價的四成，處理器、影像系統的越級配置逐步減少。
·800美元以上旗艦機型：BOM成本同比漲幅接近50%。報告測算顯示，1TB版本iPhone 18 Pro Max相比去年同容量iPhone 17 Pro Max，物料成本上漲近300美元。今年二季度多款旗艦新機首發零售價相比前代同步上調。
AI擠占產能，存儲供需失衡
存儲芯片價格暴漲的深層原因，是AI算力需求爆發對全球半導體供應鏈的擠壓。三星、SK海力士、美光三大原廠將先進制程產能大幅傾斜至HBM（高帶寬內存）等高利潤服務器存儲產品，導致面向智能手機的通用型DRAM供給被系統性擠壓。
與此同時，AI手機對內存容量的需求也在快速增長。大模型端側部署、多模態AI應用等功能，推動旗艦機標配內存從8GB向12GB、16GB甚至更高容量遷移，進一步放大了存儲成本在整機中的占比。
手機廠商應對：差異化定價+閃存替代
面對成本壓力，手機廠商正在采取多種策略應對。
Counterpoint高級分析師Shenghao Bai指出，智能手機OEM將針對不同存儲容量實行差異化定價策略，以平衡成本壓力與市場需求。部分OEM預計將通過導入更具成本優勢的NAND解決方案，來控制大容量機型BOM成本并減緩終端零售價格漲幅。
然而，這些措施的效果有限。Shenghao Bai表示，中低端機型即便依靠產品調整減負，后續仍存在盈利下滑甚至單品虧損的隱患；旗艦機型成本走高也放緩了高端屏幕、影像新技術落地速度。
2nm芯片還將進一步推高成本
報告還預判，未來2nm制程旗艦主芯片量產落地后，會進一步拉高旗艦手機物料成本。即便品牌上調終端售價，短期旗艦機型整體毛利率依舊低于2025年同代產品。
這意味著，智能手機行業正面臨"存儲漲價+芯片升級"的雙重成本擠壓，廠商利潤空間被持續壓縮，終端售價上漲或將成為不可避免的趨勢。
存儲漲價的蝴蝶效應已在終端市場顯現。此前，高通已宣布自9月1日起對全系列芯片產品實施兩位數百分比的價格上調，聯發科也已先行漲價10%至20%。疊加存儲成本飆升，下半年旗艦手機起售價可能進一步上探。有業內人士預測，今年旗艦機起售價可能摸到6999元甚至更高。
責編：Luffy
