近日，北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司在激光剝離金剛石材料領(lǐng)域取得重大技術(shù)突破。基于在激光剝離碳化硅加工領(lǐng)域長(zhǎng)期的技術(shù)積累，晶飛自主研發(fā)的激光剝離金剛石設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)了2英寸單晶和3英寸多晶金剛石激光剝離，標(biāo)志著晶飛在金剛石高精度激光加工裝備領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。
金剛石因具有超高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高載流子遷移率以及優(yōu)異的機(jī)械性能，被認(rèn)為是面向未來先進(jìn)散熱、高功率電子器件、射頻器件及新型半導(dǎo)體應(yīng)用的重要戰(zhàn)略材料。然而，由于金剛石具有極高硬度、高化學(xué)穩(wěn)定性和加工難度大的特點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)低損傷、高效率、大尺寸金剛石薄層制備一直是全球范圍內(nèi)亟待突破的技術(shù)難題。
此次取得2英寸單晶與3英寸多晶金剛石激光剝離，是晶飛繼實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅激光剝離技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用后又一次重要突破。
該成果進(jìn)一步拓展了激光剝離技術(shù)在第四代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的應(yīng)用范圍，且設(shè)備已成功交付部分頭部客戶。
目前晶飛已完成多家客戶單晶/多晶金剛石激光剝離驗(yàn)證。對(duì)于1英寸金剛石剝離，損耗可小于80μm（上剝離面50μm，下剝離面30μm），加工時(shí)間小于15min。
隨著新能源汽車、人工智能算力、高頻通信、航空航天及先進(jìn)功率電子等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，高性能半導(dǎo)體材料和先進(jìn)制造裝備需求持續(xù)增長(zhǎng)。金剛石憑借其獨(dú)特材料優(yōu)勢(shì)，有望成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向，而高效率、高精度激光剝離技術(shù)將為其規(guī)模化應(yīng)用提供新的制造路徑。
未來，北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司將持續(xù)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體材料加工裝備研發(fā)，加快激光剝離技術(shù)在碳化硅、金剛石等硬脆半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)高端激光加工裝備創(chuàng)新發(fā)展，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供技術(shù)支撐。
來源：晶飛半導(dǎo)體
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