近日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布完成數億元A輪融資。本輪融資由方廣資本、深創投集團聯合領投，遠致星火、中國中車、株洲高科產投、華睿投資、余杭金控、傳化資本、嘉道資本等機構跟投，老股東九智資本、毅嶺資本繼續追加投資。
成立于2022年的鎵仁半導體，總部位于杭州蕭山區機器人小鎮，聚焦氧化鎵等第四代半導體材料研發、生產與銷售。作為超寬禁帶半導體的重要代表，氧化鎵近年來受到產業界廣泛關注，被認為是繼碳化硅、氮化鎵之后的新一代功率電子材料。
相比碳化硅和氮化鎵，氧化鎵具有約4.8～4.9 eV的超寬禁帶寬度，以及更高的理論擊穿電場強度。這意味著在相同耐壓條件下，器件可以設計得更小、更低損耗，在超高壓電力電子、高效電源、軌道交通、新能源以及未來數據中心等領域具備潛力。
此外，氧化鎵材料還具有可通過熔體法生長大尺寸單晶的特點，在理論上有望降低襯底制造成本。目前，全球產業仍處于從實驗室走向產業化的關鍵階段，襯底尺寸、外延質量、器件可靠性以及應用驗證，是行業發展的核心環節。
公開資料顯示，鎵仁半導體圍繞氧化鎵材料產業鏈進行布局，業務覆蓋襯底、外延等關鍵環節。公司正推動“襯底—外延—器件—終端應用”的協同開發，與下游芯片企業共同開展器件驗證和應用測試，加快技術成果向實際產品轉化。
本輪融資資金將重點用于產業化建設。一方面，公司將支持下游客戶完成器件驗證，打通從材料到終端應用的全鏈條；另一方面，將擴大6英寸和8英寸氧化鎵襯底及外延產能，通過提升良率和交付能力，滿足持續增長的市場需求。
從投資陣容來看，本輪融資不僅匯聚頭部市場化投資機構，也吸引了中國中車等產業資本以及地方國資平臺參與，反映出市場對第四代半導體發展前景的關注。隨著高壓電力電子、智能電網、新能源和AI算力基礎設施需求增長，氧化鎵產業正加速邁向工程化和規模化階段。
業內普遍認為，未來超寬禁帶半導體將與碳化硅、氮化鎵形成差異化協同格局。其中，氧化鎵有望在10 kV以上超高壓功率器件領域發揮優勢。鎵仁半導體此次融資完成，也意味著國內氧化鎵產業化進程再次提速，為我國第四代半導體材料體系建設增添新力量。
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