近日，北京晶飛半導體科技有限公司在金剛石激光剝離領域取得新進展，成功實現2英寸單晶金剛石和3英寸多晶金剛石激光剝離。
據了解，晶飛長期深耕半導體材料激光加工領域，并已自主開發碳化硅激光垂直剝離設備，可覆蓋4/6/8英寸晶錠加工。
在此基礎上，晶飛進一步將激光剝離技術拓展至金剛石材料，針對其高硬度、高化學穩定性等特性，建立相應的精密加工技術體系。
金剛石兼具高熱導率、高擊穿場強、高載流子遷移率和優異機械性能，被認為是下一代高功率電子、先進散熱及射頻器件的重要材料。
但與此同時，金剛石加工難度極高。如何以較低材料損耗獲得大尺寸、薄層化金剛石，是其走向晶圓化和器件應用過程中需要解決的關鍵問題。
此次晶飛實現2英寸單晶與3英寸多晶金剛石激光剝離，意味著激光剝離裝備的材料適用范圍進一步拓展，也為金剛石薄層制備提供了新的加工路徑。
據介紹，晶飛自主研發的金剛石激光剝離設備，剝離厚度可在100—1500μm范圍內調節，最薄可實現100μm厚度金剛石薄層剝離。
目前，晶飛已完成多家客戶的單晶、多晶金剛石激光剝離驗證，并實現設備向部分頭部客戶交付。
在加工效率方面，對于1英寸金剛石剝離，企業披露的材料損耗可低于80μm，其中上剝離面損耗約50μm、下剝離面約30μm，加工時間小于15分鐘。
此次突破也是晶飛繼12英寸碳化硅激光剝離實現產業化應用后，在超硬半導體材料加工裝備領域的進一步延伸。
從產業發展來看，金剛石正逐步從超硬材料向第四代半導體、高端熱管理等方向拓展。激光剝離裝備的持續突破，有望為金剛石晶圓加工、薄層制備及后續器件應用提供新的裝備支撐。
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