在上一篇文章“100條估計信號完整性效應的經驗法則（一）”中，我們介紹了50條估計信號完整性效應的經驗法則。本文中，我們將介紹剩下的50條估計信號完整性效應的經驗法則。51、遠端容性負載會增加信號的上升時間。10-90%上升時間約是（100*C）PS，其中C的單位是pF。52、如果突變的電容小于0.004*產生較多的反射噪聲RT，則可能不會產生問題。53、50歐姆傳輸線中拐角的電容（pF）是線寬（MIL）的2倍。54、容性突變會使50%點的時延約增加0.5*Z0*C。55、如果突變的電感（nH）小于上升時間（ns）的10倍，則不會產生問題。56、對上升時間少于1ns的信號，回路電感約為10nH的軸向引腳電阻可能會產生較多的反射噪聲，這時可換成片式電阻。57、在50歐姆系統中，需要用4pF電容來補償10nH的電感。58、1GHz時，1盎司銅線的電阻約是其在DC狀態下電阻的15倍。59、1GHz時，8mil寬的傳輸線的電阻產生的衰減與介質材料產生的衰減相當，并且介質材料產生的衰減隨著頻率變化得更快。60、對于3mil或更寬的傳輸線而言，低損耗狀態全是發生在10MHz頻率以上。在低損耗狀態時，特性阻抗以及信號速度與損耗和頻率無關。在常見的級互連中，不存在由損耗引起的色散現象。61、-3dB衰減相當于初始信號功率減小到50%，初始電壓幅度減小到70%。62、-20dB衰減相當于初始信號功率減小到1%，初始電壓幅度減小到10%。63、當處于趨膚效應狀態時，信號路徑與返回路徑的單位長度串聯約是（8/W）*sqrt（F）（其中線寬W：mil、頻率F：GHz）。64、50歐姆的傳輸線中，由導體產生的單位長度衰減約是36/（WZ0）dB/inch。66、1GHz時，FR4中由介質材料產生的衰減約是0.1dB/inch，并隨頻率線性增加。67、對于FR4中的8mil寬、50歐姆傳輸線，在1GHz時，其導體損耗與介質材料損耗相等。68、受損耗因子的制約，FR4互連線（其長是LEN）的帶寬約是30GHz/Len。69、FR4互連線可以傳播的最短時間是10ps/inch*Len。70、如果互連線長度（inch）大于上升時間（ns）的50倍，則FR4介質板中由損耗引起的上升邊退化是不可忽視的。71、一對50歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時，信號線間的耦合電容約占5%。72、一對50歐姆微帶傳輸線中，線間距與線寬相等時，信號線間的耦合電感約占15%。73、對于1ns的上升時間，FR4中近端噪聲的飽和長度是6inch，它與上升時間成比例。74、一跟線的負載電容是一個常數，與附近其他線的接近程度無關。75、對于50歐姆微帶線，線間距與線寬相等時，近端串擾約為5%。76、對于50歐姆微帶線，線間距是線寬的2倍時，近端串擾約為2%。77、對于50歐姆微帶線，線間距是線寬的3倍時，近端串擾約為1%。78、對于50歐姆帶狀線，線間距與線寬相等時，近端串擾約為6%。79、對于50歐姆帶狀線，線間距是線寬的2倍時，近端串擾約為2%。80、對于50歐姆帶狀線，線間距是線寬的3倍時，近端串擾約為0.5%。81、一對50歐姆微帶傳輸線中，間距與線寬相等時，遠端噪聲是4%*TD/RT。如果線時延是1ns，上升時間時0.5ns，則遠端噪聲是8%。82、一對50歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的2倍時，遠端噪聲是2%*TD/RT。如果線時延是1ns，上升時間時0.5ns，則遠端噪聲是4%。83、一對50歐姆微帶傳輸線中，間距是線寬的3倍時，遠端噪聲是1.5%*TD/RT。如果線時延是1ns，上升時間時0.5ns，則遠端噪聲是4%。85、在50歐姆總線中，不管是帶狀線還是微帶線，要使最懷情況下的遠端噪聲低于5%，就必須保持線間距大于線寬的2倍。86、在50歐姆總線中，線間距離等于線寬時，受害線上75%的竄擾來源于受害線兩邊鄰近的那兩跟線。87、在50歐姆總線中，線間距離等于線寬時，受害線上95%的竄擾來源于受害線兩邊距離最近的每邊各兩根線條。88、在50歐姆總線中，線間距離是線寬的2倍時，受害線上100%的竄擾來源于受害線兩邊鄰近的那兩根線條。這是忽略與總線中其他所有線條間的耦合。89、對于表面布線，加大相鄰信號線間的距離使之足以添加一個防護布線，串擾常常就會減小到一個可以接受的水平，而且這時沒必要增加防護布線。添加終端短接的防護布線可將串擾減小到50%。90、對于帶狀線，使用防護線可以使串擾減小到不用防護線時的10%。91、為了保持開關噪聲在可以接受的水平，必須使互感小于2.5nH*上升時間（ns）。92、對于受開關噪聲限制的接插件或者封裝來說，最大可用的時鐘頻率是250MHz/（N*Lm）。其中，Lm是信號/返回路徑對之間的互感（nH），N是同時開關線的數量。93、在LVDS信號中，共模信號分量是差分信號分量達2倍以上。94、如果之間沒有耦合，差分對的差分阻抗是其中任意一個單端線阻抗的2倍。95、一對50歐姆微帶線，只要其中一跟線的電壓維持在高或低不變，則另一跟線的單端特性阻抗就與鄰近線的距離完全無關。96、在緊耦合差分微帶線中，與線寬等于線間距時的耦合相比，線條離得很遠而沒有耦合時，差分特性阻抗僅會降低10%左右。97、對于寬邊耦合差分對，線條間的距離應至少比線寬大，這么做的目的是為了獲得可高達100歐姆的差分阻抗。98、FCC的B級要求是，在100MHz時，3M遠處的遠場強度要小于150μV/M。99、鄰近的單端攻擊次線在強耦合差分對上產生的差分信號串擾比弱耦合差分對上的少30%。100、鄰近的單端攻擊次線在強耦合差分對上產生的共模信號串擾比弱耦合差分對上的多30%。免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯系小編進行處理。
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