Micron已經用它的新替代柵(RG，Replacement Gate)結構流片了它的第4代3D NAND存儲器設備。這次流片證實，該公司正按計劃在2020年生產第4代3D NAND閃存，但Micron稱，使用新架構的閃存將只用于選定的應用程序，因此，其明年的3D NAND成本削減將微乎其微。
Micron第四代3D NAND芯片使用了多達128層，并在陣列設計方法下繼續使用CMOS芯片。新型的3D NAND存儲器改變了浮柵技術(已被英特爾和Micron公司使用多年)，用于替代柵技術，試圖降低掩膜尺寸和成本，同時提高性能，并使更容易過渡到下一代節點。這項技術是由Micron單獨開發的，沒有任何來自英特爾的投入，所以它很可能是為Micron想要瞄準的應用量身定制的(可能是高asp，如移動設備、消費者等)。
Micron第四代128層3D NAND的流片表明，該公司的新設計不僅僅是一個概念。 同時，Micron還沒有計劃將其所有產品線都轉換為最初的RG處理技術，因此明年公司范圍的每位成本不會大幅下降。 盡管如此，該公司承諾在其后續RG節點廣泛部署之后，到2021財年（從2020年9月下旬開始）將實現有意義的成本降低。
目前，Micron正在提高96層3D NAND的產量，并于明年開始在其絕大部分產品線中使用。128層3D NAND不會立即導致每位成本的顯著下降，而是會隨著時間的推移而下降。后續節點（Micron的第五代3D NAND？）可能具有至少128層，并且如果被廣泛使用，則可以預測，與今天相比，它將大大降低公司的每位成本。
Micron公司首席執行官兼總裁Sanjay Mehrotra表示：
“我們使用替代柵或簡稱“ RG”實現了我們的第一次流片。這個里程碑進一步降低了我們進行RG過渡的風險。提醒一下，我們的第一個RG節點將為128層，并將用于選擇的一組產品。我們預計RG不會在2021財年廣泛部署，在第二代RG節點之前實現有意義的成本降低。因此，我們預計2020財年NAND的成本降低最小。我們的RG生產部署方法將優化NAND資本投資的ROI。”
原文鏈接：https://www.anandtech.com/show/14942/micron-128layer-3d-nand-with-replacement-gate-cmos-under-array-taped-out
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