最近，歐洲一家公司正在加速一項碳化硅新技術的產業化——目前已經建設了碳化硅中試線，未來5年將投資大約17.5億元，將建設6-8英寸的碳化硅晶圓廠，新工廠將在明年初開工。
與此同時，他們還收購了一家碳化硅公司，并與應用材料等多家機構聯合推動這些技術的產業化。
據介紹，這項技術可以將碳化硅襯底的產能提升10倍，單個晶錠可以生產500片晶圓。還可以將碳化硅襯底的電阻率降低400，使SiC MOSFET尺寸縮小15%，器件良率提高20%。
11月30日，Soitec宣布，收購SiC晶圓拋光企業NOVASiC，同時還與材料企業Mersen建立戰略合作伙伴關系。據介紹，NOVASiC成立于1995年，開發了創新的碳化硅拋光工藝，可提高器件性能，具有無劃痕、低粗糙度、超潔凈的外延表面和無損壞層。而Mersen是一家法國先進材料公司，在碳化硅方面，Mersen主要開發2種關鍵材料：等靜壓石墨，以及Calcarb? Edge絕熱材料。這兩個動作都是為了將Soitec的Smart Cut技術量產化，目標是為了抓住電動汽車市場新機遇。據Soitec公司6 月 10 日發布的財報，他們計劃在五年內投資11億歐元（87.57億人民幣）用于擴產和碳化硅布局。據Soitec 碳化硅副總裁介紹，未來五年他們在碳化硅生產方面的資本支出將占總投資的20%左右（推算達到17.5億人民幣）。未來5年，Soitec新建2家工廠，其中一家工廠將生產6英寸和8英寸SiC晶圓，該廠將在2022年3月前開始建設，以便在2023/2024財年投入使用。除此之外，Soitec還聯合CEA-Leti和應用材料等機構來推動Smart Cut技術。2019年11月，Soitec宣布與應用材料公司將使用Smart Cut技術聯合開發碳化硅襯底。目前，兩家公司已經在CEA-Leti的襯底創新中心，建設一條碳化硅工程襯底試驗線。
為什么Soitec在Smart Cut技術上面的投入這么大？根據Soitec與歐洲合作伙伴的合作成果，他們使用20 mΩ cm電阻率載體襯底，在第一代SmartCutSiC襯底上制造了SiC JBS二極管。經過測算，在大約1.4 V的電壓下，該 JBS 二極管的額定電流增加了20%，因此，電子工程師可以可以設計具有更高額定電流的產品，同時保持現有的設計和技術；或者他們可以將總芯片面積縮小 15% 以上。除了降低芯片成本外，后者還因減少了柵極表面而將開關損耗降低了10%。加入碳化硅大佬群，請加VX：hangjiashuo666據Soitec介紹，SmartSiC技術有多個優勢。首先， Smart Cut可以提高碳化硅單晶襯底的重復利用率，“供體晶片可重復使用10次以上”。傳統SiC技術可生產40-50個晶圓，而使用SmartCutSiC 技術可以生產500個晶圓。其次，使用Smart Cut生產 SiC 襯底，通過優化鍵合步驟，可以實現高水平的導電性和導熱性。其研究表明，Smart Cut SiC可將碳化硅襯底的電阻率降低至少4倍，電阻率的顯著降低可以使SiC MOSFET尺寸縮小5-15%。第三，SmartCut技術生產的晶片具有無基面位錯的頂層，SiC晶片具有高表面質量和更低的粗糙度，從而可以降低外延缺陷密度，從而使尺寸超過20 mm2 的器件良率提高20%。第四，SmartCut優點還包括，生產器件時，其襯底已經包含轉換緩沖層，這簡化了漂移外延生長過程。第五，Smart Cut SiC 技術的另一個特點是可以減少甚至跳過晶圓背面研磨，實現巨大的節省。由于施用于供體襯底和轉移的無 BPD 頂層的特定工程工藝，Smart Cut第六，Smart Cut可以減少生產晶錠對環境的影響。由于采用了 多晶SiC載體，因此可以減少碳化硅單晶襯底的使用量。通常，SiC單晶的生長溫度要達到2400℃，而多晶碳化硅襯底可以在較低的溫度下制造——低于 1500 °C ，生長只需一兩天，因此整體晶體生長所需的電量預算更低。插播：更多全球SiC產業布局，盡在《2021第三代半導體調研白皮書》，掃碼可搶先閱讀！英諾賽科4000萬、納微3000萬！氮化鎵還有哪些機會？
