在上個(gè)月長江存儲(chǔ)出貨232有源層的3DQLCNAND內(nèi)存芯片之后，12月6日，美光科技宣布推出Micron?3500?NVMe消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤，此固態(tài)硬盤利用其232層NAND為商業(yè)應(yīng)用、科學(xué)計(jì)算、尖端游戲和內(nèi)容創(chuàng)作等要求苛刻的工作負(fù)載提供支持。美光3500固態(tài)硬盤采用M.2外形尺寸，容量最高2?TB，SPECwpcsm性能提升達(dá)71%，官方稱它能夠提供優(yōu)于競爭對(duì)手的用戶體驗(yàn)。
在上個(gè)月長江存儲(chǔ)出貨232有源層的3DQLCNAND內(nèi)存芯片之后，12月6日，美光科技宣布推出Micron 3500 NVMe消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤，此固態(tài)硬盤利用其232層NAND為商業(yè)應(yīng)用、科學(xué)計(jì)算、尖端游戲和內(nèi)容創(chuàng)作等要求苛刻的工作負(fù)載提供支持。美光3500固態(tài)硬盤采用M.2外形尺寸，容量最高2 TB，SPECwpcsm性能提升達(dá)71%，官方稱它能夠提供優(yōu)于競爭對(duì)手的用戶體驗(yàn)。
美光副總裁兼客戶端存儲(chǔ)部總經(jīng)理 Prasad Alluri 說："3500固態(tài)硬盤擁有令人印象深刻的規(guī)格，例如在科學(xué)計(jì)算基準(zhǔn)成績方面顯著提高了132%，它將把您的下一臺(tái)PC或工作站變成一個(gè)強(qiáng)大的動(dòng)力源，以實(shí)現(xiàn)洞察力和增強(qiáng)創(chuàng)造力。"
對(duì)于游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和新興的客戶端人工智能體驗(yàn)而言，存儲(chǔ)從未像現(xiàn)在這樣重要。游戲圖形越來越豐富，體積越來越大，導(dǎo)致加載時(shí)間越來越長。客戶端人工智能應(yīng)用需要快速的數(shù)據(jù)訪問，以增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。
Micron 3500 SSD 性能：
Micron 3500 SSD 支持 DirectStorage，該功能可進(jìn)一步加快受支持游戲的加載時(shí)間。加載最大、最新游戲（如《Valorant》）的速度提高了 38%。
它使用原生 4K 和 8K 視頻并希望加快上線時(shí)間的內(nèi)容創(chuàng)作者，可以更快地加載和編輯文件。
根據(jù) PCMark 10 基準(zhǔn)測試套件，Micron 3500 SSD 可提供最多36%的帶寬提升，加快38%的訪問速度，整體性能比同類固態(tài)硬盤高出 37%。
Micron 3500 SSD現(xiàn)已向部分PC OEM廠商發(fā)貨，是對(duì)美光面向創(chuàng)作者的更廣泛固態(tài)硬盤產(chǎn)品組合的補(bǔ)充，其中包括Crucial X9 Pro和Crucial X10 Pro便攜式固態(tài)硬盤。
長江存儲(chǔ)推出232層3D NAND芯片
11月初，長江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司(YMTC)開始出貨232有源層的3DQLCNAND內(nèi)存芯片。
長江存儲(chǔ)研發(fā)的新型3D NAND存儲(chǔ)器件采用了Xtacking3.0架構(gòu)，擁有業(yè)界創(chuàng)記錄的密度和極致性能。其1Tb 3DQLCNAND器件的密度達(dá)到了19.8Gbit/mm2，創(chuàng)下了商用 NAND芯片歷史上的最高記錄。
晶棧®Xtacking® 是長江存儲(chǔ)核心技術(shù)品牌，代表著長江存儲(chǔ)在3D NAND存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新進(jìn)取和卓越貢獻(xiàn)，是長江存儲(chǔ)面向企業(yè)客戶、消費(fèi)者推廣3D NAND產(chǎn)品的關(guān)鍵所在，也是體現(xiàn)長江存儲(chǔ)原創(chuàng)設(shè)計(jì)的代表品牌。
NAND 行業(yè)現(xiàn)狀
2022年，美光、SK海力士、三星等相繼量產(chǎn)了232層3D NAND Flash。同時(shí)，這些國際大廠紛紛加速邁向300層，希望能主導(dǎo)未來3D NAND Flash的技術(shù)路線。
今年6月，SK海力士宣布其在2022年8月開發(fā)完成的238層堆疊的NAND Flash芯片正式開始量產(chǎn)。
8月，SK海力士公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，三星也被爆出將會(huì)在明年推出擁有超過300層堆疊的第9代V-NAND技術(shù)，未來的第10代V-NAND技術(shù)將可能達(dá)到 430層芯片。此外，三星在今年FMS 2023 技術(shù)大會(huì)上還透露，其計(jì)劃在2030年開發(fā)出1000層的V-NAND技術(shù)。但這些均還未進(jìn)入量產(chǎn)階段。
TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，在下半年供應(yīng)商大幅減產(chǎn)后，NAND Flash 現(xiàn)貨價(jià)格不再出現(xiàn)低價(jià)交易。最新的價(jià)格行情如下：
來源：TrendForce，單位：美元
近幾年，在長江存儲(chǔ)（YMTC）與三星等全球頭部的存儲(chǔ)廠商的競爭之下，市場上2TB的SSD價(jià)格從2000元級(jí)別降到了500元左右。
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