蓉矽半導體順利完成Pre-A輪融資，碳化硅NovuSiC??MOSFET?將于本月底亮相！

2022年8月，四川省首家專注于寬禁帶半導體碳化硅功率器件設計與開發的高新技術企業——成都蓉矽半導體有限公司（以下簡稱“蓉矽半導體”）順利完成Pre-A輪融資。本輪融資由維度資本領投，陜西三元航科投資基金合伙企業（有限合伙）、南京泰華股權投資管理中心（有限合伙）等機構跟投。

雙方簽約儀式現場

蓉矽半導體成立于2019年12月，擁有IATF 16949體系認證的完整供應鏈和極富經驗的國際化團隊。2022年6月底，蓉矽半導體發布了其自主開發的超額定電流12倍正向浪涌的碳化硅NovuSiC® EJBS™和175?C高結溫、nA級漏電的理想硅基MCR®二極管系列產品。

其中，NovuSiC®EJBS™在20A時，VF為1.37V，漏電小于2μA，可承受288W的功率、最大26A的電流，為光伏、直流快充等領域帶來可靠性要求更高、成本更優的解決方案；MCR®產品具有高溫特性穩定、高抗浪涌電流能力等優勢，適用于中低壓150V~600V應用，在儲能電源和LED照明等工業級領域助力提升產品性能、降低功耗。

8月30日，蓉矽半導體將舉行線上新品發布會，發布碳化硅NovuSiC®MOSFET(G1)、(G2)兩款產品和硅基FR MOSFET產品，讓我們拭目以待！

關于成都蓉矽半導體有限公司

成都蓉矽半導體有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 是四川首家專注于第三代寬禁帶半導體碳化硅（SiC）功率器件設計與開發的高新技術企業，致力于開發世界一流水平的車規級碳化硅器件，產品涵蓋碳化硅單管、模組系列和nA級超低漏電的理想二極管MCR®（MOS-Controlled Rectifiers)。其中NovuSiC® /DuraSiC® 系列的1200V二極管與1200V SiC MOSFET已進入量產，并完成超國際考核標準驗證(NovuStandard - AEC-Q1O1+)，性能達國際先進水平，廣泛應用于工控電源、工業電機、光伏逆變、儲能、充電樁及新能源汽車等領域。