伴隨樣品生產啟動和CHIPS資金落地，博世同步把對美投資的長期承諾抬到了新高度，目標到2031年在美投資至高75億美元。
德國汽車零部件霸主把SiC籌碼押到了美國——這是博世在美130余年歷史上第一次擁有自己的半導體晶圓廠。
當地時間7月13日，博世宣布，其位于美國加利福尼亞州Roseville（羅斯維爾）的8英寸碳化硅（SiC）晶圓廠已啟動樣品生產，預計2026年內切入商業芯片制造。這座工廠是博世在美的首座半導體生產基地，前身是2023年博世收購的美國芯片廠商TSI Semiconductors，全期改造投資20億美元。
同日，博世確認，改造項目已與美國商務部簽署《CHIPS與科學法案》直接資金協議，獲2.25億美元聯邦資金支持，另加加州方面2500萬美元稅收抵免激勵。
Roseville工廠的半導體制造史可以追溯到上世紀80年代，在被博世接手前，TSI Semiconductors已在車規和工業半導體設計、生產上積累了近40年經驗。2023年4月博世宣布意向收購，同年8月31日完成對TSI核心資產（廠房、設備、基礎設施及商業半導體業務）的交割，新公司命名為Robert Bosch Semiconductor LLC，約250名本地員工隨產線轉入博世體系。
最初博世的改造預算是15億美元，后上調至20億美元——差額部分恰好與CHIPS法案的2.25億美元直接資金+約3.5億美元擬議政府貸款形成配套。
按規劃，Roseville產線將基于200毫米（8英寸）晶圓制造和測試SiC功率半導體，應用場景覆蓋電動汽車牽引逆變器、充電系統、數據中心、混動車以及國防領域。美國商務部估算，該工廠滿產時將占美國全部SiC器件產能的40%以上。
碳化硅作為寬禁帶半導體，耐壓、耐溫、開關速度快、體積還能做小，是電動車功率器件里繞不開的材料。博世汽車電子總裁Michael Budde此前在收購TSI時給過一個直觀數據：電動車里用SiC芯片，能耗最多可降50%，換來的是更長續航和更高充電效率。
博世自己從2021年第一代SiC量產至今，全球累計出貨已超6000萬顆，在德國羅伊特根（Reutlingen）有一座6英寸轉8英寸的SiC工廠并行跑樣品。Roseville補齊的是“美國本土產能”這塊短板——此前博世的SiC主要依賴德國產線，跨大西洋供應鏈在地緣政治和車企“近岸采購”壓力下越來越吃緊。
這次2.25億美元直接資金，是《芯片與科學法案》527億美元政策資金池分給功率半導體的一部分。美國商務部芯片項目辦公室（CHIPS Program Office）在公告里把SiC定義為“能源、汽車、國防多個關鍵行業電氣化的使能技術”。
美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）表示：“特朗普政府致力于在美國本土建立安全的供應鏈，這將使美國在對國家和經濟安全至關重要的行業中能夠持續創新并保持競爭優勢。”
博世北美總裁兼CEO Paul Thomas也表示，“在美國生產碳化硅芯片有助于增強供應鏈韌性，并充分利用美國制造合作伙伴的專業技術，及時將這項技術推向美國市場”，并提到《美墨加協定》也是博世加大在美芯片投資的原因之一，車企越來越傾向找“能在附近穩定供貨”的伙伴。
伴隨樣品生產啟動和CHIPS資金落地，博世同步把對美投資的長期承諾抬到了新高度，目標到2031年在美投資至高75億美元。
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