東進世美肯正在開發2nm半導體工藝核心材料HighNA光刻膠

CINNO Research產業資訊，東進世美肯（Dongjin Semichem）投身于“High NA極紫外線(EUV)”用光刻膠(Photoresist，PR)的開發中。High NA EUV是被稱為新一代半導體曝光設備的設備，被譽為2納米以下超細微工藝必備的設備。繼國內首次量產全部依賴于進口的半導體EUV PR后，將挑戰新一代PR材料的國產化。

根據韓媒ETNews報道，東進世美肯最近制定了High NA EUV PR開發路線圖。將從今年下半年啟動研發，目標是最快在2025年上半年完成技術開發。公司計劃在荷蘭半導體設備公司ASML的High NA EUV設備大規模生產之前完成PR開發。

PR是在晶圓上繪制半導體電路的曝光工藝用核心材料。在晶圓上涂布后，經過曝光作業，性質就會發生變化，將成為電路圖案的底色。EUV用PR尤其是在繪制高分辨率圖案時，是必需的材料。到目前為止，雖然全部依賴于從日本等海外進口，但東進世美肯去年曾首次成功實現EUV PR的國產化。采用純韓國自有技術，成功開發出了2019年作為日本出口管制三大品種之一的光刻膠，引起業界廣泛關注。目前正在向三星電子供貨。

新挑戰的新產品是配合“High NA EUV”設備的新一代EUV PR材料。High NA EUV是將展現集光能力的鏡頭開口數(NA)從原來的0.33提高到0.55的設備，是能夠繪制超細電路圖案的關鍵設備。三星電子、SK海力士、TSMC、英特爾等尖端半導體企業都決定從ASML引進該設備。ASML是世界上唯一一家能夠提供EUV設備和新一代High NA EUV設備的企業。

ASML預計明年出貨首臺High NA EUV設備。據悉，2026-2027年將實現大規模量產。東進世美肯在High NA EUV市場正式爆發前完成相關PR產品商業化，為搶占市場打下鋪墊。

東進世美肯推進多種High NA EUV的PR開發流程。這是因為High NA設備初期的生產效率會下降，影響半導體良率的因素非常多，因此將考慮到多種“變量”，進行產品開發。除了采用少量產生高靈敏度化學反應的化學放大光刻膠(CAR)型外，還考慮到了基于無機物(MOR)的產品。考慮到無機物PR與無機物相比，實現超細微電路的精度更高。

為盡量減少半導體曝光工藝時間，公司還推進改善PR分辨率、圖案粗糙度和靈敏度。這些因素左右著PR的品質、是提高半導體生產性的關鍵因素。

東進世美肯開始開發High NA EUV用PR，預告將與現有的市場領先者一決高下。EUV PR由信越化學、JSR、TOK等日本企業主導。據悉，他們也在開發High NA用PR。

東進世美肯相關人士表示：“材料開發公司必須比零部件、設備公司至少快6個月，才可能被半導體廠商或設備公司采用自己的材料”，并稱，“由于新一代EUV設備尚未普及或材料開發需要驗證，將通過客戶、合作伙伴等獲得產品測試機會，并將啟動針對High NA EUV設備優化的PR開發的各種流程。”

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