半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是支撐國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和保障國(guó)家信息安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心。碳化硅半導(dǎo)體作為近年來(lái)迅速發(fā)展起來(lái)的新型半導(dǎo)體材料，憑借其超越硅的優(yōu)異性能，引起了全球科技領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。其在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、軌道交通等前沿科技領(lǐng)域的應(yīng)用，不僅開(kāi)啟了新的技術(shù)疆界，更是掀起了一場(chǎng)產(chǎn)業(yè)變革的浪潮。然而，面對(duì)如此廣闊的市場(chǎng)前景，碳化硅半導(dǎo)體的市場(chǎng)化進(jìn)程卻面臨著一大挑戰(zhàn)——良率問(wèn)題。從晶體、襯底及外延的生長(zhǎng)，到器件制備和封裝，良率不足已經(jīng)成為制約碳化硅半導(dǎo)體市場(chǎng)化應(yīng)用的關(guān)鍵瓶頸。面對(duì)這一挑戰(zhàn)，Carbontech 2023碳化硅半導(dǎo)體論壇將匯集全球范圍內(nèi)的頂尖專家、學(xué)者以及行業(yè)巨頭，聚焦碳化硅產(chǎn)業(yè)良率低下、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化不足、協(xié)同能力差等痛點(diǎn)，共同探討并研究解決方案，通過(guò)實(shí)現(xiàn)參會(huì)各方實(shí)質(zhì)性的互聯(lián)互通，加快推進(jìn)碳化硅半導(dǎo)體的市場(chǎng)化應(yīng)用進(jìn)程！論壇時(shí)間：2023年11月1日-11月3日支持單位：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、United Scientific Group支持媒體：Carbontech、DT半導(dǎo)體、DT新材料、材視科技、碳化硅半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、芯師爺、清新電源、大半導(dǎo)體、光伏見(jiàn)聞、半導(dǎo)體信息……按姓氏首字母排序：
高遠(yuǎn)? 泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體（北京）科技有限公司
應(yīng)用測(cè)試中心總監(jiān)
演講題目：碳化硅功率器件測(cè)試：從研發(fā)到量產(chǎn)、從晶圓到應(yīng)用
高遠(yuǎn)先生現(xiàn)任中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子專業(yè)委員會(huì)委員及青年工程師工作組委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟產(chǎn)業(yè)導(dǎo)師、泰克科技電源功率器件領(lǐng)域外部專家。
主要從事功率半導(dǎo)體器件的特性測(cè)試、評(píng)估及應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)研究工作，致力于推進(jìn)功率半導(dǎo)體器件教育在高等學(xué)校普及和推廣先進(jìn)功率器件在工業(yè)界應(yīng)用。發(fā)表學(xué)術(shù)論文8篇，授權(quán)專利4項(xiàng)，出版專著《碳化硅功率器件：特性、測(cè)試和應(yīng)用技術(shù)》，收錄于機(jī)械工業(yè)出版社“電力電子新技術(shù)系列圖書”和“半導(dǎo)體與集成電路關(guān)鍵技術(shù)叢書”，并列入“十四五”國(guó)家重點(diǎn)出版物。
鞏小亮，中國(guó)電科第48研究所 ?半導(dǎo)體裝備研究部主任鞏博士，任中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所半導(dǎo)體裝備研究部主任，電科裝備高級(jí)技術(shù)專家，長(zhǎng)期從事第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵裝備攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)致力于外延生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)研究，主持國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、湖南省十大技術(shù)攻關(guān)等重大項(xiàng)目10余項(xiàng)，發(fā)表論文10余篇，授權(quán)發(fā)明專利6項(xiàng)，牽頭制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，獲國(guó)資委重大工程突出貢獻(xiàn)個(gè)人、湖南省科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、CASA第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年、中國(guó)電科科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、中國(guó)電科“十大青年拔尖人才”等榮譽(yù)。復(fù)旦大學(xué)寧波研究院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所副所長(zhǎng)清純半導(dǎo)體（寧波）有限公司首席科學(xué)家雷光寅博士，在2010年至2018年于美國(guó)福特汽車公司任研發(fā)工程師，負(fù)責(zé)混動(dòng)汽車電機(jī)控制器硬件開(kāi)發(fā)；2018年至2020年于上海蔚來(lái)汽車有限公司任電動(dòng)力工程技術(shù)專家，負(fù)責(zé)基于碳化硅功率半導(dǎo)體的新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)前瞻項(xiàng)目。長(zhǎng)期從事功率半導(dǎo)體模塊封裝及新能源汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，研究領(lǐng)域集中在新型封裝材料開(kāi)發(fā)；功率模塊封裝設(shè)計(jì)、工藝開(kāi)發(fā)、可靠性及失效分析；混動(dòng)及純電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)等。發(fā)表高水平學(xué)術(shù)期刊論文30余篇，其中高引數(shù)量17篇；作為第一或合作發(fā)明人，至今共取得超過(guò)40項(xiàng)美國(guó)及中國(guó)發(fā)明專利。研究成果曾獲得有著科技界“奧斯卡”獎(jiǎng)之稱的美國(guó)科學(xué)技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)（R&D 100，2007年度）和2021年中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)等獎(jiǎng)項(xiàng)。李金喜，廈門云天半導(dǎo)體 市場(chǎng)總監(jiān)演講題目：從先進(jìn)封裝到先進(jìn)微系統(tǒng)集成2006年畢業(yè)于華中科技大學(xué)電子系，先后在華潤(rùn)上華、昆山華天從事客戶技術(shù)支持以及市場(chǎng)營(yíng)銷類工作。在半導(dǎo)體行業(yè)有著十余年的工作經(jīng)驗(yàn)，對(duì)晶圓制造、封測(cè)以及模組產(chǎn)業(yè)有較為清晰的認(rèn)知。從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游角度來(lái)看，隨著摩爾定律趨緩，先進(jìn)封裝扮演了越來(lái)越重要的角色，未來(lái)發(fā)展?jié)摿薮蟆；诖耍?018年跟隨于大全博士創(chuàng)立廈門云天半導(dǎo)體，目前主要負(fù)責(zé)云天的市場(chǎng)工作。馬彪? 上海瀾芯半導(dǎo)體 創(chuàng)始人兼總經(jīng)理演講題目：SiC MOSFET設(shè)計(jì)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)馬彪先生畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)，微電子碩士。擁有16年的功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，同時(shí)也是華虹宏力半導(dǎo)體02專項(xiàng)1700V-6500超高壓1GBT及FRD產(chǎn)品和工藝平開(kāi)發(fā)項(xiàng)目"工藝開(kāi)發(fā)技術(shù)負(fù)責(zé)人、積塔半導(dǎo)體臨港廠MOSFET產(chǎn)品通線負(fù)責(zé)人、聯(lián)合汽車電子功率芯片負(fù)責(zé)人。上海瀾芯半導(dǎo)體在馬彪先生的帶領(lǐng)下，運(yùn)作不滿1年，瀾芯半導(dǎo)體1200V 80/60/40/30毫歐已經(jīng)全部可送樣，且80毫歐產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)可靠性驗(yàn)證。
梅云輝??天津工業(yè)大學(xué) 教授?博導(dǎo)電氣工程學(xué)院?常務(wù)副院長(zhǎng)演講題目：實(shí)現(xiàn)碳化硅器件直接水冷散熱的大尺寸低溫低壓直連技術(shù)探索梅云輝教授長(zhǎng)期從事電力電子器件封裝與可靠性研究，近年主持國(guó)家“優(yōu)青”，天津市“杰青”，國(guó)家基金項(xiàng)目、國(guó)防預(yù)研項(xiàng)目、“慧眼行動(dòng)”項(xiàng)目、航空基金、華為、蔚來(lái)汽車、匯川技術(shù)等企業(yè)合作項(xiàng)目逾30項(xiàng)，參與國(guó)家基金重點(diǎn)項(xiàng)目、863項(xiàng)目等。擔(dān)任中國(guó)電源學(xué)會(huì)理事、元器件專委會(huì)副主任、專家咨詢委員會(huì)副主任、IEEE Senior Member、《電源學(xué)報(bào)》編委、天津市電源學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)等。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文140余篇，其中SCI論文收錄100篇，授權(quán)發(fā)明專利27件，曾獲IEEE CPMT Young Award（電子封裝學(xué)會(huì)優(yōu)秀青年獎(jiǎng)）、中國(guó)電源學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)（第一完成人）、中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)（第一完成人）、天津市技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)（第二完成人）、教育部霍英東教育基金高等院校青年科技獎(jiǎng)、電工技術(shù)—正泰科技獎(jiǎng)、IEEE國(guó)際電力電子年會(huì)APEC Best Presentation Award、IEEE ICEPT Outstanding Paper Award、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)“特別貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”等。
宋慶文 ?西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院??副院長(zhǎng)宋慶文，山東臨沂人，博士,?教授/博士生導(dǎo)師,?國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃青年項(xiàng)目首席，華山學(xué)者領(lǐng)軍教授,省級(jí)創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人。主要從事寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件和電路（功率芯片）物理模型、材料生長(zhǎng)、關(guān)鍵工藝及可靠性的研究和人才培養(yǎng)，在SiC功率器件和電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和可靠性等方面取得了一些創(chuàng)新性成果，在國(guó)際上首次成功研發(fā)出皮秒級(jí)SiC基DAS器件；成功開(kāi)發(fā)了SiC高壓器件輻照加固技術(shù)；發(fā)明了多種高可靠性新型的4H-SiC基功率MOSFETs；突破了高穩(wěn)定SiC金半接觸工藝，實(shí)現(xiàn)了國(guó)際上首只600℃SiC基紫外探測(cè)器；實(shí)現(xiàn)600V~10kV/2A~200A SiC SBD、PiN、MOSFET、IGBT等器件的研制和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)；近年來(lái)主持或參與包括國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃，國(guó)家自然科學(xué)、陜西省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃等二十余項(xiàng)，近年來(lái)在IEEE EDL, IEEE Trans. ED、IEEE TPEL等期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇，獲國(guó)家授權(quán)專利50余項(xiàng)。王德君 ?大連理工大學(xué) 教授 博導(dǎo)王德君，電子信息與電氣工程學(xué)部控制科學(xué)與工程學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。吉林大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)本科、碩士，清華大學(xué)材料學(xué)博士，先后服務(wù)于北京大學(xué)、名古屋大學(xué)和奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)。近年來(lái)指導(dǎo)研究生解決核心關(guān)鍵技術(shù)及理論問(wèn)題多項(xiàng)，在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文數(shù)十篇，培養(yǎng)的研究生多次獲得博士生優(yōu)秀論文單項(xiàng)獎(jiǎng)學(xué)金和國(guó)家優(yōu)秀學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金，深受業(yè)界歡迎。王德君教授在SiC器件領(lǐng)域深耕二十余年，帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)率先解決了柵氧缺陷分析和缺陷物理參數(shù)分離難題，形成了SiC MOS器件柵氧可靠性分析測(cè)試技術(shù)成套解決方案，目前已自研多臺(tái)套科研型設(shè)備，為服務(wù)器件制造產(chǎn)業(yè)提供了強(qiáng)有力的支撐。王蓉? 浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心??研究員浙大杭州科創(chuàng)中心求是科創(chuàng)學(xué)者計(jì)劃、青年人才卓越計(jì)劃入選者演講題目：碳化硅單晶生長(zhǎng)與襯底加工技術(shù)進(jìn)展王蓉博士致力于半導(dǎo)體碳化硅材料的摻雜和缺陷物理研究，圍繞碳化硅單晶生長(zhǎng)、襯底晶圓加工和同質(zhì)外延過(guò)程中的缺陷物理開(kāi)展了系列理論與實(shí)驗(yàn)研究。針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理在PR Applied、APL等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表了60余篇SCI論文，并擔(dān)任多項(xiàng)國(guó)際知名期刊的審稿人。擁有21項(xiàng)授權(quán)的國(guó)家發(fā)明專利和2項(xiàng)美國(guó)專利，其中5項(xiàng)專利已完成轉(zhuǎn)讓，產(chǎn)值超過(guò)3千萬(wàn)元。王錚? 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
演講題目：堅(jiān)定不移，以裝備創(chuàng)新推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展王錚先生從事半導(dǎo)體行業(yè)近20年，涉足集成電路、功率半導(dǎo)體、MEMS、LED以及襯底材料等多個(gè)先進(jìn)領(lǐng)域。目前在北方華創(chuàng)負(fù)責(zé)半導(dǎo)體襯底材料行業(yè)，是國(guó)內(nèi)最早一批研究寬禁帶半導(dǎo)體材料裝備及工藝方案的資深專家。
楊霏 ?國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所
楊霏，博士，高級(jí)工程師（教授級(jí)），國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體所副總工程師兼工藝開(kāi)發(fā)室主任，中關(guān)村高端領(lǐng)軍人才。專注于碳化硅外延材料及高壓電力電子器件研究，組建了包括外延材料、器件設(shè)計(jì)、器件工藝與測(cè)試的碳化硅高壓器件研發(fā)團(tuán)隊(duì)，承擔(dān)國(guó)家863項(xiàng)目1項(xiàng)，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目2項(xiàng)，北京市科委項(xiàng)目2項(xiàng)，國(guó)家電網(wǎng)公司科技項(xiàng)目8項(xiàng)，研制了1200V、1700V及3300V系列碳化硅二極管及3300V/600A混合模塊，研制了1200V/20A碳化硅MOSFET并在30kW光伏逆變器中示范應(yīng)用。目前正在研制35kV/5MW柔性變電站電力電子變壓器示范工程應(yīng)用的6.5kV碳化硅二極管與MOSFET，以及用于24kV換流閥功率單元的18kV碳化硅IGBT。主導(dǎo)制定團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)2項(xiàng)，主持建立了全工藝的10kV高壓碳化硅器件中試線，授權(quán)發(fā)明專利16項(xiàng)，譯著2部。尹志鵬，河北普興電子科技股份有限公司 產(chǎn)品總監(jiān)
演講題目：碳化硅外延技術(shù)及發(fā)展趨勢(shì)
尹志鵬，大連理工大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士，現(xiàn)任河北普興電子科技股份有限公司產(chǎn)品總監(jiān)，從事碳化硅同質(zhì)外延相關(guān)工作及產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
河北普興電子科技股份有限公司是中電科半導(dǎo)體材料有限公司控股的股份制公司，成立于2000年11月，是國(guó)家認(rèn)定的高新技術(shù)和集成電路生產(chǎn)企業(yè)，致力于高性能半導(dǎo)體材料的外延研發(fā)和生產(chǎn)。公司已通過(guò)ISO9001、TS16949質(zhì)量管理體系認(rèn)證，ISO14001、ISO45001環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證。主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號(hào)的硅基外延片、氮化鎵和碳化硅外延片。客戶遍布中國(guó)大陸、港臺(tái)地區(qū)，以及美國(guó)、日本、韓國(guó)、俄羅斯、印度等國(guó)際市場(chǎng)，在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)享有較高的聲譽(yù)。張勝濤，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院 技術(shù)總監(jiān)演講題目：科友8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化發(fā)展哈爾濱工業(yè)大學(xué)博士、助理教授，化學(xué)工程與技術(shù)學(xué)科，新能源材料與器件方向，2021年獲黑龍江省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)，2022年入選哈爾濱市科技創(chuàng)新人才。2018年4月-至今，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司研發(fā)部總監(jiān)，負(fù)責(zé)碳化硅晶體生長(zhǎng)與缺陷控制研究。張勝濤博士長(zhǎng)期致力于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅裝備開(kāi)發(fā)、熱場(chǎng)仿真設(shè)計(jì)及單晶缺陷控制研究，推動(dòng)大尺寸國(guó)產(chǎn)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化工作，主持或參與國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、省重大科技成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目、省自然科學(xué)基金、省頭雁團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目、市重大科技專項(xiàng)等國(guó)家省市重點(diǎn)項(xiàng)目多項(xiàng)。在研發(fā)過(guò)程中取得了一系列原創(chuàng)成果，目前已發(fā)表半導(dǎo)體領(lǐng)域高水平論文8篇，其中SCI索引期刊6篇，授權(quán)專利10余項(xiàng)，參編國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)1項(xiàng)，企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)多項(xiàng)。贊助&參會(huì)&報(bào)告：夏雪? 153 1453?4371（微信同號(hào)）歡迎掃碼填寫報(bào)名信息！
1、一對(duì)一對(duì)接（專家咨詢、產(chǎn)業(yè)技術(shù)交流）、需求對(duì)接；3、《碳材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書2023》發(fā)布；4、《Carbontech Magazine》專刊發(fā)布；5、創(chuàng)新應(yīng)用展區(qū)（學(xué)術(shù)海報(bào)展區(qū)、創(chuàng)新應(yīng)用解決方案展區(qū)、實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備展。展區(qū)同期舉辦特色活動(dòng)：新品發(fā)布會(huì)、逆向采購(gòu)大會(huì)、行業(yè)榜單……
