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2021 年7月，普渡大學在西德克薩斯州聯邦法院起訴意法半導體公司（“ST-INC”）侵犯美國專利第?7, 498, 633?號（“'633?專利”）和?8, 035, 112專利號。
7,498,633 涵蓋了普渡大學的 James Cooper 教授和他的研究生/博士后研究員 Asmita Saha 發明的涉及碳化硅半導體的突破性技術專利。該技術涉及高壓電源應用中使用的半導體器件，于 2006 年獲得了專利保護。
根據普渡大學向美國地區法官艾倫·奧爾布賴特 (Alan Albright) 專利密集的韋科法院提起的訴訟稱，意法半導體用于太陽能 HVAC 系統、汽車充電站和其他可再生能源產品的金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 侵犯了專利權。
此后不久，印第安納州西拉斐特大學去年撤銷了該案中的一項專利。ST順勢否認了普渡大學的指控，并辯稱普渡大學剩余的專利無效。
但該起案件的最終裁決還未完全落地，當天意法半導體通過電子郵件告訴IBJ，它不同意陪審團的裁決，并計劃向美國上訴法院提起上訴。
近日，國內知名碳化硅行業自媒體平臺《碳化硅芯片學習筆記》的作者發表文章觀點稱：“這個行業曾一度認為，碳化硅溝槽MOS有結構專利IP的壁壘問題，但平面MOSFET應該是沒有專利問題的。
因此，要搞產品，先做平面MOSFET成了最合理的商業選擇，哪怕溝槽MOS已經發展到第四代，有點像硅IGBT當年最賺錢的第四代溝槽IGBT，但碳化硅這種現狀，做平面MOSFET避開溝槽有限的三種基礎結構專利IP問題，也許是最明智的選擇。現在看起來，可能不盡然！"
至于為什么《碳化硅芯片學習筆記》的作者有這個看法，我想應該是633這個專利的結構圖業內人士都非常熟悉，大部分以平面結構在設計碳化硅芯片的企業都或多或少的與這個結構有關聯技術。
除此之外，該訴訟案件坐在被告席的還有Wolfspeed，甚至在今年初美國總統訪問WOLF后，還被媒體指控美國政府插手該起案件的判決，原因是在美國總統訪問后兩天美國專利和商標局局長凱西·維達爾（Kathy Vidal）干預了普渡大學和沃爾夫速特的專利糾紛。但本次干預并沒有取消普渡大學對于WOLF的指控，預計此次針對ST的判決結束后，緊接著應該就會看到對于Wolfspeed專利案的判決了。
可以看到致力于平面結構的兩家頭部大廠，都在本次專利案件充足的證據鏈前無法快速抽身，可見碳化硅芯片的IP之爭，烽煙驟起！
我們找到了93頁本次專利案相關文件
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