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9月25日消息，美國白宮發布消息稱，美國將與印度合作建一個半導體工廠。
據報道，此次建設的工廠主要用于生產發射紅外線所需的半導體產品，以及抗干擾能力更強、適用于軍用電子產品的氮化鎵和碳化硅半導體材料。
這些材料與以硅晶圓為原料的傳統半導體產業不同，處于發展早期階段，目前應用場景較為單一，有一定發展潛力。該項目將得到印度半導體計劃的支持，并將成為印度初創公司Bharat Semi、印度圖像傳感器公司3rdiTech和美國太空部隊之間戰略技術合作的一部分。
據印度媒體報道，這是美國軍方首次將此類工廠設置在印度，將成為印度首個專注軍事領域半導體設備需求的工廠。
報道稱，印度的年輕芯片工程師能夠幫助美國軍方大幅降低制造此類產品的成本。美國對印度的技術轉讓也使得印度成為全球少數能夠制造此類產品的國家。
印度計劃從2023年開始，提供最高達100億美元的補貼預算，以吸引對印度半導體產業的投資，補貼比例可達項目總投資的50%至70%。印度還規劃在古吉拉特邦打造“半導體之城”，旨在吸引全球芯片制造商。印度塔塔集團正著手建立一個高標準的晶圓廠，目標占據全球半導體晶圓市場10%的份額。
盡管印度力推“半導體自給自足”，印度面臨半導體行業專業人才短缺的挑戰，需高薪引進國外專家并加速本土工程師的成長。分析指出，印度制造業的國際競爭力普遍不足，半導體產業的機會在于迎合美國供應鏈“友岸外包”的需求，但這一策略本身難以構建持久的國際競爭力。
彭博社社論質疑，印度政府的補貼政策似乎偏好莫迪家鄉古吉拉特邦，該地區在半導體制造的關鍵條件上并無突出優勢，這種非市場化補貼恐不利于產業健康發展。評論警告，不切實際的宏大計劃可能導致巨額補貼效率低下。對莫迪而言，更重要的是依托印度蓬勃發展的電子產品組裝業，逐步向上游產業鏈延伸，吸引高價值的制造企業落戶印度，利用本國市場和資源推動產業升級。
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