今年的雙十一剛過去不久，波瀾不驚！但對于國產存儲芯片廠商——長江存儲卻是值得紀念的。
根據京東平臺數據，長江存儲旗下致態品牌首次獲得京東SSD品類雙十一大促交易總額（GMV）及銷量雙料第一，致態京東交易總額同比增長43%，總銷量同比增長16%。這也是國內存儲品牌首次超越三星獲得冠軍，成為SSD市場“領跑者”。
那此次逆轉是國產存儲芯片廠商的“曇花一現”，還是扭轉乾坤呢？
一、長江存儲市場份額不到5%
我們知道長江存儲是國產存儲芯片的一面旗幟，成立于2016年，隔年就量產了中國首款3DNAND閃存；在技術上，長江存儲采用了自研的 Xtacking（晶棧）架構，在NAND領域，長江存儲 2021 年就量產了128層3D堆疊產品，232層產品亦開始前期量產。
2022年12月，美國將長江存儲納入出口管制“實體清單”。限制長江存儲使用進口芯片制造設備，導致長江存儲產能嚴重跟不上，技術突破一度陷入困境之中。直到去年底，又陸續推出了第二代和第三代TLC/QLC閃存。
但在市場和技術被全球存儲巨頭進一步拉開了距離。根據TrendForce集邦咨詢最新數據，2024年第三季度NAND Flash產業出貨量環比下滑2%，產業總收入為176億美元，環比增長4.8%。
三季度NAND Flash芯片主要品牌商中，三星以35.2%的市場份額穩居榜首；其次是占據20.6%市場份額的SK海力士；鎧俠、美光、西部數據排名第三至第五。然而包括長江存儲在內的其他NAND廠商市場份額只有4.1%，相比上個季度下降到0.7%。
也就是說，NAND芯片市場依然被全球5大廠商高度壟斷，包括長江存儲在內的國產存儲芯片廠商與全球主流廠商的實力在拉大。
二、SK海力士量產321層NAND
在技術上，日前SK海力士宣布量產堆棧層數321層1Tb TLC NAND Flash，業界最高堆棧層數產品為200層內，SK海力士成為第一家成功量產300層堆棧以上NAND Flash公司，站上全球NAND技術的制高點。
根據官方公布的數據，SK海力士321層堆棧TLC NAND Flash，數據傳輸速度比上代產品快12%，讀取性能提高13%，數據讀取功耗效率也提升10%以上。SK海力士以321層堆棧NAND Flash積極接入低功耗、高性能AI市場，并逐步擴大應用范圍。
也就是說，SK海力士接著技術上的突破，積極沖進企業級SSD市場。據統計第三季度SK海力士企業級SSD（eSSD）銷量較前一年同期增加430%，占SSD總銷量60%。
與HBM相比，NAND Flash一直處于AI熱潮之外，但最近發生變化，數據中心支持AI運算快速高性能固態硬盤（SSD）需求激增，尤其企業級SSD（eSSD）需求暴漲，價格也持續升高。根據TrendForce報告預測，第四季度企業級SSD價格漲幅將趨于平緩，大家需求依然強勁。
這意味著，抓住人工智能爆發時機，占據50%以上HBM存儲芯片市場的SK海力士，或將再次迎來NAND芯片市場爆發的“潑天財富”。
因此，在HBM芯片市場，國產廠商集體缺席，遲遲未見量產；那面對即將爆發的企業級SSD市場，國產廠商又將完美錯過嗎？
三、未來2-3年突破是關鍵
國產HBM量產的消息目前較為隱秘，而國產HBM突破最大的希望預計將來自長鑫存儲。同時，長江存儲集團下的武漢新芯公司于今年三月發布了《高帶寬存儲芯粒先進封裝技術研發和產線建設》招標項目，表示將利用三維集成多晶圓堆疊技術，打造更高容量、更大帶寬、更小功耗和更高生產效率的國產高帶寬存儲器(HBM)產品。根據業內人士預測，在未來的2-3年國產HBM將有較大的突破。
而200層以上NAND存儲芯片的量產或將很快到來，根據10月8日，韓國媒體《朝鮮日報》消息，中國存儲半導體公司長江存儲利用本國企業的半導體設備，正在快速追趕三星電子、SK海力士等頂尖企業的NAND閃存技術。
另外，根據日本媒體報道：中國半導體存儲器巨頭長江存儲（YMTC）每年生產40-50萬片尖端NAND存儲器晶圓，且全部采用國產晶圓。
也就是說，長江存儲2022年被制裁之后，無法獲得半導體設備的問題或將迎刃而解；或許意味著長江存儲232層NAND產品的量產在即。而進一步的技術突破，尤其是在企業級SSD應用的突破目前沒有進一步的消息。
因此，在全球電子消費市場復蘇不確定的情況之下，2024年存儲芯片產業正在經歷了“冰火兩重天”的行情。一方面消費電子存儲市場表現低迷，智能手機、筆電市場呈現出旺季不旺的景象；另一方面，AI對存儲產品性能提出更高要求，助推高端存儲產品價格持續上漲。
對于國產存儲芯片廠商而言，中低端存儲芯片市場已經占據一席之地；但在企業級存儲市場急需突破，國產人工智能、自動駕駛等產業都需要高端存儲芯片的支撐和助力。在面對越來越割裂的全球半導體產業鏈，存儲芯片的突破或將為國產半導體產業的自主發展撕開一個口子。
