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全系采用800V碳化硅高壓平臺





主要為英飛凌、博世等
根據(jù)工信部信息,小米YU7的SiC電機(jī)供應(yīng)商依舊為匯川聯(lián)合動力、聯(lián)合汽車電子。

據(jù)“行家說三代半”此前報(bào)道,匯川聯(lián)合動力和聯(lián)合汽車電子為小米汽車提供的電驅(qū)采用了碳化硅HPD模塊和半橋模塊。在主驅(qū)SiC MOSFET芯片方面,匯川聯(lián)合動力與英飛凌、意法半導(dǎo)體和安森美都有合作,聯(lián)合汽車電子采用博世的SiC MOSFET。

其中,英飛凌此前曾公開透露,他們?yōu)?/span>小米SU7 Max版供應(yīng)兩顆1200V HybridPACK Drive G2 CoolSiC模塊,搭載的是溝槽柵SiC MOSFET,并將為小米Su7供應(yīng)碳化硅模塊及芯片產(chǎn)品至2027年。
此外,匯川聯(lián)合動力的碳化硅功率模塊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以兼容多家SiC芯片,以保障供應(yīng)安全。除了采用英飛凌的溝槽柵SiC MOSFET外,他們也與意法半導(dǎo)體和安森美有合作,后兩家企業(yè)主要生產(chǎn)平面柵SiC MOSFET。

左:匯川碳化硅模塊;右:聯(lián)合電子碳化硅模塊
另一方面,聯(lián)合汽車電子此前曾為小米SU7提供400V電驅(qū)動橋,其SiC半橋功率模塊采用博世的第二代溝槽型SiC芯片,芯片最高運(yùn)行溫度可達(dá)200℃,減少了50%的dv/dt,而且實(shí)現(xiàn)單位面積Rdson縮減30%,Rdsonsp達(dá)到140mΩ/mm2。
除了主驅(qū)外,小米YU7也跟小米SU7一樣,全域采用碳化硅,在OBC、空壓機(jī)等處也采用了碳化硅器件,據(jù)“行家說三代半”此前調(diào)研發(fā)現(xiàn),其供應(yīng)情況如下:
●?OBC供應(yīng)商是富特科技,而SiC MOSFET芯片供應(yīng)商為Wolfspeed。
●?空調(diào)壓縮機(jī)控制器供應(yīng)商是致瞻科技,后者與意法半導(dǎo)體此前達(dá)成了SiC MOSFET合作。
此外,小米YU7的碳化硅器件用量也有可能增加。據(jù)調(diào)研發(fā)現(xiàn),小米SU7在單電機(jī)版本中的SiC MOSFET用量約為64顆,雙電機(jī)版本約為112顆,而小米YU7的三款車型均采用800V平臺,且電機(jī)功率進(jìn)一步提升,其SiC MOSFET用量可能比SU7更多。
小米發(fā)布三款車型背后:
SiC器件/模塊供應(yīng)關(guān)系有變
實(shí)際上,小米汽車雖然只發(fā)布了三款車型,但其均采用了全域碳化硅。從主驅(qū)應(yīng)用來看,小米汽車的碳化硅器件/模塊供應(yīng)關(guān)系也有所變化。

如今,小米汽車主驅(qū)的SiC器件/模塊供應(yīng)商仍以英飛凌、博世等國際一線大廠為主,但據(jù)“行家說三代半”調(diào)研發(fā)現(xiàn),國內(nèi)芯聯(lián)集成、林眾電子、瞻芯電子、斯達(dá)半導(dǎo)體、阿基米德半導(dǎo)體等廠商已經(jīng)或即將進(jìn)入小米汽車的供應(yīng)鏈,將實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)SiC器件/模塊替代。
當(dāng)下,SiC技術(shù)的創(chuàng)新步伐持續(xù)加快,下游廠商也正積極參與并推動這一進(jìn)程。但要讓SiC技術(shù)走入“千家萬戶”,亟需產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)攜手共進(jìn),才能加速技術(shù)的成熟與落地應(yīng)用。
為此,“行家說三代半”正在進(jìn)行《2025碳化硅(SiC)器件與模塊產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》的調(diào)研工作,并已獲得芯聚能半導(dǎo)體、三安半導(dǎo)體、安海半導(dǎo)體、華卓精科、快克芯裝備、士蘭微電子、凌銳半導(dǎo)體的參編支持,歡迎更多企業(yè)加入我們,參編咨詢請聯(lián)系許若冰(hangjiashuo999)。


本文發(fā)自【行家說三代半】,專注第三代半導(dǎo)體(碳化硅和氮化鎵)行業(yè)觀察。