5月27日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）正式向港交所遞交上市申請，中信證券、國金證券（香港）及中銀國際擔任聯席保薦人，這也是中國碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申請的廠商。
圖片來源：基本半導體上市申請書截圖
基本半導體成立于2016年，總部位于深圳，作為國內少數具備碳化硅功率模塊全產業鏈覆蓋能力的企業，基本半導體已實現從芯片設計到模塊封裝的垂直整合，其產品廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能等戰略新興領域。
據悉，基本半導體在深圳光明碳化硅晶圓制造基地、無錫新吳碳化硅功率模塊封裝基地、深圳坪山功率半導體驅動測試基地均已開始量產。而此次IPO募資將主要用于深圳晶圓廠與無錫封裝產線的產能擴張，以應對下游市場爆發式增長的需求。
招股書顯示，基本半導體募集資金將用于未來擴大晶圓及模塊的生產能力以及購買及升級生產設備及機器、對新碳化硅產品的研發工作以及技術創新，以及拓展碳化硅產品的全球分銷網絡。
財務數據顯示，2022年至2024年，公司營收從1.17億元穩步增長至2.99億元，年復合增長率達59.9%，盡管仍面臨盈利挑戰，但其技術實力與市場潛力已獲得資本市場認可。
自成立以來，基本半導體已完成多輪融資，投資方涵蓋產業資本、知名投資機構及政府基金。
2017年天使輪由Ascatron AB、力合科創集團啟動研發；2019年A輪獲力合科創集團等支持中試線投產；2020年B輪由聞泰科技、深圳市投控資本領投，加速車載芯片認證；2021年連續完成B+輪（博世創投）、C1輪（博世創投、松禾資本等）融資，推動車規級模塊研發及產業化；2022年完成C2輪（廣汽資本等）、兩輪C+輪（粵科金融、中車轉型升級基金等），拓展新能源市場并建設制造基地，2023年完成D輪融資，加速車規級產線建設。
歷次融資均聚焦技術研發與產能擴張，助力其成為國內碳化硅功率器件領域領軍企業。
多家第三代半導體企業競相沖刺IPO
在第三代半導體產業的資本浪潮中，多家頭部企業相繼沖刺IPO。
天岳先進2022年1月12日登陸上海證券交易所科創板，2025年2月向香港聯交所遞交了發行境外上市外資股（H股）的申請，擬在香港聯交所主板掛牌上市，構建"A+H"雙平臺布局。作為全球第二大碳化硅襯底制造商，天岳先進在半導體材料領域具有顯著的技術優勢。公司通過持續的研發投入，已掌握碳化硅襯底制備的核心技術，產品性能達到國際先進水平。
英諾賽科于2024年12月30日成功登陸香港聯交所主板，成為港股“第三代半導體”第一股。英諾賽科位于吳江區，深耕8英寸芯片制造技術多年，是全球第一家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，通過打造硅基氮化鎵全產業鏈平臺，填補了行業空白，完善了我國半導體產業鏈布局。
2025年3月25日，瀚天天成在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。瀚天天成成立于2011年，主要從事碳化硅外延晶片的研發、量產及銷售，是全球率先實現8英吋碳化硅外延芯片大批量外供的生產商，也是中國首家實現商業化3英吋、4英吋、6英吋和8英吋碳化硅外延芯片全套批量供應的生產商。
天域半導體成立于2009年，于2024年12月向香港聯交所遞交招股書，擬在主板上市，由中信證券擔任獨家保薦人。作為專業碳化硅外延片供應商，天域半導體通過自主研發，已掌握生產600伏至30000伏單極型及雙極型功率器件所需整個碳化硅外延片生產周期的必要核心技術及工藝，目前提供4英寸及6英寸碳化硅外延片，并已開始量產8英寸外延片。
結語
第三代半導體材料，尤其是碳化硅與氮化鎵，因耐高壓、高頻特性，已成為新能源與5G通信領域的核心器件。據TrendForce預測，2028年全球碳化硅功率器件市場規模將達91.7億美元。國內企業紛紛通過IPO加速資本化進程，旨在突破技術封鎖、應對價格戰并綁定頭部客戶。
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