一. 前言

前面我們介紹過NAND的最基本的String-Arrays結(jié)果，其中Arrays存儲陣列對應(yīng)一個平面的BLOCK結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在我們就像疊積木一樣來介紹NAND更上層的組織結(jié)構(gòu)。

NAND按照從下到上按照以下層次組織

點(diǎn) 線                 面       體            產(chǎn)品

CELL STRING(列)/PAGE(行)  BLOCK    Plane  Die  芯片 RANK 

二.PAGE

PAGE對應(yīng)的是上述Arrays陣列的一行，對應(yīng)的是編程的最小單位， PAGE的一個bit對應(yīng)一根bit Line，讀寫數(shù)據(jù)也是從這個bit實(shí)現(xiàn)的，所以可以近似認(rèn)為是數(shù)據(jù)線。PAGE會對應(yīng)相應(yīng)的Buffer，即從Bit Line讀寫數(shù)據(jù)都先要緩存到Buffer，Buffer可以認(rèn)為是數(shù)據(jù)的入口閥門。

一根Word Line控制一個PAGE，一個BLOCK的WordLine數(shù)就是STING的CELL數(shù)，即一個BLCOK的PAGE數(shù)。

從這里就可以理解為什么NAND總是最小以PAGE為單位編程了。因?yàn)镹AND是由控制柵極和硅襯底之間加壓來實(shí)現(xiàn)編程的，實(shí)際就是通過Word Line來控制編程的，所以對應(yīng)的就是一行，一個PAGE。

大多數(shù)PAGE大小為 2KB、4KB、8KB 等。現(xiàn)代更大容量的NAND更甚至有64KB，128KB的PAGE。

如下黃色部分對應(yīng)一個PAGE