近日，廣東致能半導體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產落地。
圖片來源：廣東致能半導體官微
據介紹，#致能半導體 通過導入行業(yè)領先的制造工藝及創(chuàng)新的技術平臺，產品在芯片尺寸、生產成本、電學性能、制造一致性等核心指標方面均較競爭技術展現出全面的領先優(yōu)勢。
資料顯示，致能半導體成立于2018年，是國內第三代半導體氮化鎵領域的高新技術企業(yè)，專注于氮化鎵功率器件的研發(fā)與產業(yè)化。致能半導體核心業(yè)務聚焦硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件的研發(fā)、生產與銷售，具備完整IDM能力。公司擁有TO247、TOLL、PQFN56等多種封裝類型的氮化鎵功率器件，已完成硅基氮化鎵高功率大電壓常開平面元器件研發(fā)并交付客戶。
今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典舉辦的#國際氮化物半導體會議（ICNS）上，首次公布硅基垂直GaN HEMT功率器件技術。該技術實現了硅襯底上垂直GaN/AlGaN結構生長和二維電子氣溝道構建，還做出全球首個垂直常開、常關兩種類型器件，其中常關器件閾值電壓最高可達4V以上，憑借原創(chuàng)性貢獻獲得會議廣泛關注與高度評價。
融資方面，廣東致能半導體目前已完成多輪融資，從早期種子輪逐步推進至C輪，投資方涵蓋知名VC資本、產業(yè)基金及頭部企業(yè)創(chuàng)投等。
今年1月廣東致能半導體完成C輪融資，投資方包括高榕資本、博世創(chuàng)投、深創(chuàng)投等。此次融資正值公司推進氮化鎵器件量產的關鍵階段，資本的注入為其提升產能、強化供應鏈體系提供了有力支撐。
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