隨著全球能源結構轉型與電子設備向高功率、高可靠性升級，第四代半導體材料憑借卓越性能成為產業焦點。其中，氧化鎵以4.9eV超寬禁帶、8MV/cm高擊穿電場的獨特優勢，被視為解決高壓、高頻、高溫應用場景痛點的 “關鍵材料”。2025年11月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）依托深厚技術積累，正式推出（011）晶面氧化鎵襯底片新品，持續為產業突破提供核心支撐。
新品β-Ga2O3（011）晶面襯底片可提供10mm*10.5mm及10mm*15mm兩種精準尺寸，短邊定位 [100] 晶向，帶來更穩定的器件制備基礎。
在關鍵性能指標上，產品實現全面突破：
性能檢測卓越
10mm*10.5mm尺寸（011）晶面襯底在XRD檢測中雙曲線搖擺曲線半高寬僅為32.1arc sec,晶體取向分布集中；峰位為35.29°，非常接近理論值35.148°。產品以優異表現從根源上保障器件長期運行穩定性。
表面質量頂尖
襯底片表面質量達到行業頂尖水平，Ra值小于 0.5nm的超光滑表面，晶面偏差嚴格控制在±1°以內，并支持單面/雙面拋光定制，為外延生長提供完美基底。
定制類型多樣
（011）晶面襯底片提供多種摻雜及載流子濃度選項，當前可提供UID、Sn、Mg/Fe 三種摻雜類型，適配多樣化器件設計需求。
每一項參數的背后，都是鎵仁半導體對工藝細節的極致追求，讓下游客戶在高功率、高精度器件研發中無需妥協。
作為氧化鎵材料領域的創新晶面選擇，（011）晶面具備多重不可替代的優勢，將重塑未來產業應用格局：
缺陷抑制能力更強
（011）晶面結構天然規避線形缺陷，減少電場集中與反向電流問題，顯著提升功率器件的擊穿性能與使用壽命，尤其適配超高壓應用場景。
電接觸性能更優
（011）晶面表面勢壘高度低于傳統（001）晶面，更易實現低電阻歐姆接觸，降低器件導通損耗，為5G基站電源、特高壓輸變電設備等高效能場景提供支撐。
外延兼容性更廣
（011）晶面與 AlGaO、InGaO 等多元固溶體材料的晶格失配度小于 1.5%，可穩定生長高質量外延層，為研發多波段深紫外探測器、量子阱激光器等新型器件奠定基礎。
（011）晶面襯底片的成功研發并非偶然，而是鎵仁半導體長期技術積累的必然結果。依托具有自主知識產權的鑄造法及自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備，公司聚焦行業痛點，已順利實現多個尺寸、不同晶面氧化鎵單晶的穩定生長與導電型摻雜突破，持續展現創新”鎵“速度。
2025年，鎵仁半導體不僅創造了從2英寸到8英寸每年迭代一個尺寸的行業記錄，更是僅用短短一年時間實現了VB法從零開始到6英寸單晶的突破，有效填補了國內相關領域空白，為我國第四代半導體材料國產化替代提供了關鍵支撐。
此次（011）晶面產品的推出，進一步豐富了公司氧化鎵襯底產品矩陣，也印證了公司在晶體生長、工藝優化、性能調控等核心環節的全鏈條技術實力。從實驗室到產業化，鎵仁半導體正以持續的技術突破，為第四代半導體產業發展賦能，助力中國在全球半導體領域占據更核心的位置。
（011）晶面襯底片新品現已開放樣品申請與合作咨詢，誠邀科研機構、器件廠商攜手，共同探索氧化鎵的應用潛能，共創半導體產業新價值！
來源：鎵仁半導體
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