市場研究機構Counterpoint Research發布最新報告顯示，受供需持續失衡影響，全球DRAM及NAND閃存價格在農歷新年前后大幅上漲，多款產品價格環比漲幅超130%。機構預測，供應短缺局面將至少持續至2027年下半年。
3月12日，Counterpoint Research在線上研討會中公布數據：2月中旬至3月上旬，64GB服務器用DDR5規格RDIMM內存條價格環比上漲150%；12GB移動端LPDDR5X內存價格上漲130%；筆記本電腦所用8GB DDR4規格SO-DIMM內存價格上漲180%。NAND閃存產品價格同步上漲130%至150%，漲幅創下歷史新高。
報告稱，盡管三星、SK海力士等頭部廠商計劃投入80萬億至90萬億韓元用于擴產，但仍難以滿足當前市場需求。2025年全球DRAM廠商產量預計增長26%，NAND閃存產量增長24%，但明顯的產能提升要到2027年下半年才會出現，供應緊張問題屆時才有望緩解。
Counterpoint Research研究員Hwang Min-sung表示，受供應緊張影響，今年HBM高帶寬內存廠商將轉向利潤率競爭，而非單純爭奪市場份額。內存供應商正在取消定制AI半導體（ASIC）如定制HBM的生產，專注于商品內存生產以最大化盈利能力。“由于超大規模云運營商的購買意愿并未減弱，今年下半年內存價格沒有下降的可能性。此外，如果能源危機長期持續，‘芯片通脹’可能會因為增加的資本成本和上漲的電力價格（占數據中心運營成本的一半以上）而增加需求負擔。”
全球人工智能芯片市場的領導者英偉達近日訪問了三星電子的半導體生產基地。
據報道，市場觀察人士認為，英偉達此舉是為在即將簽訂的下一代HBM全面供應合同中占據有利地位而采取的戰略性先發制人策略。分析表明，這是英偉達慣用的“先發制人”策略。
3月11日，英偉達的檢查團隊到訪三星電子平澤園區，對半導體封裝生產線及其他設施進行了審核。審核是指客戶參觀供應商的生產線，檢查生產工藝、質量控制體系和功率測試結果等情況的審查過程。
這是在新產品供應或擴大產量之前，驗證供應鏈穩定性和生產可靠性的程序——本質上是客戶和供應商之間的常規流程。然而，據報道，英偉達檢查團隊的態度與往常截然不同。
