Soitec與南洋理工發布 6G 重磅成果，GaN-on-Si 創效率紀錄

未來產鏈 2026-03-24 17:58

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2026 年世界移動通信大會（MWC）期間，全球領先的半導體材料企業蘇泰克（Soitec）與新加坡南洋理工大學（NTU Singapore）正式宣布，雙方為期四年的下一代 6G 互聯互通聯合研究項目取得圓滿成功，相關突破性成果將在大會期間集中展示。此次合作產出三篇重磅技術論文，全面驗證了基于蘇泰克外延（EPI）晶圓的氮化鎵（GaN）器件在 6G 關鍵頻段的卓越性能，為下一代移動射頻前端技術發展奠定重要基礎Soitec。

6G 技術升級倒逼材料革新，GaN-on-Si 成關鍵突破口

隨著全球通信產業向 6G 邁進，設備與組件面臨功率密度、帶寬、能效的三重嚴苛挑戰，尤其智能手機、可穿戴設備等緊湊型終端，對低電壓、高效率射頻方案的需求愈發迫切。傳統砷化鎵（GaAs）技術雖成熟，但在高頻、高功率場景下的集成度與成本控制已顯瓶頸Soitec。

蘇泰克與南洋理工的聯合研究明確指出，硅基氮化鎵（GaN-on-Silicon）技術正成為 6G 射頻前端模塊的核心互補方案，可有效彌補 GaAs 技術短板，適配未來移動終端與基站的高頻、高效、小型化需求Soitec。

創紀錄性能突破：低電壓下 FR3 / 毫米波頻段 PAE 超 50%

研究團隊依托蘇泰克比利時研發中心定制的專用 GaN-on-Silicon 外延襯底，在手機電池適配的低電壓條件下，于 FR3 頻段與毫米波（mmWave）頻段實現創紀錄的功率附加效率（PAE）Soitec。其中，南洋理工大學研究人員在 FR3 頻段達成超 50% 的 PAE 水平，毫米波頻段效率更突破 60%，同時保持優異的低噪聲性能，充分證實該襯底可支撐高度集成、節能型射頻解決方案。

這一成果的核心價值在于，GaN-on-Silicon 首次實現 “高頻射頻性能” 與 “硅平臺成本、 scalability、集成優勢” 的深度融合Soitec。對比傳統 GaAs 方案，其可支持更高輸出功率、更優熱管理，同時簡化系統架構，助力射頻前端實現更小體積、更高效率的設計，完美匹配 6G 終端與基站的緊湊化、節能化趨勢Soitec。

產業意義：加速 6G 落地，推動全球 GaN 生態成熟

此次技術突破不僅為 6G 智能手機、可穿戴設備的射頻前端提供了高性能、低成本的材料方案，更直接推動緊湊型、高能效 6G 基站的研發進程Soitec。從終端到基礎設施，GaN-on-Si 技術的成熟將全面加速全球氮化鎵產業生態在消費電子與通信基建領域的規模化落地Soitec。

蘇泰克創新執行副總裁兼首席技術官 Christophe Maleville 表示：“先進工程襯底是實現 6G 技術的核心基石。此次與南洋理工的合作，充分驗證了 GaN-on-Silicon 在兼顧卓越射頻性能的同時，可滿足未來移動設備的成本、 scalability 與集成需求。我們突破效率與頻率極限，不僅為下一代智能手機射頻前端做好準備，更加速了全球 GaN 生態在基礎設施與消費端的發展步伐Soitec。”

蘇泰克將在 2026 年 MWC 展會期間，全面展示此次 6G 技術突破及全系列創新半導體材料方案，與全球產業伙伴共探下一代通信技術的材料與器件發展路徑Soitec。

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