碳化硅被稱為第三代半導體的核心材料，因其耐高壓、耐高溫、低損耗等特性，被廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、5G通信等領域。長期以來，這個領域由美國Wolfspeed等國際巨頭主導，美國企業(yè)一度占據全球60%以上的市場份額，其中Wolfspeed一家就曾占全球40%以上的供應量 。
那么，尺寸從6英寸到8英寸，再到如今的14英寸，意味著什么？這不僅是物理面積的擴大，更是產業(yè)經濟學的革命。
目前全球主流量產尺寸仍是6英寸，而8英寸正處于爆發(fā)前夜。根據市場調研數據，2025年全球8英寸碳化硅襯底收入規(guī)模約5.4億元，但預計到2032年這一數字將接近371.2億元，年復合增長率高達83.5% 。推動這一增長的核心邏輯就是“大尺寸化”帶來的成本優(yōu)勢。 14英寸晶圓的面積大約是6英寸晶圓的5倍以上，這意味著在同等生產周期下，單片晶圓產出的芯片數量大幅增加，單顆芯片成本有望下降60%以上 。
除了尺寸，這次天成半導體公布的另一個關鍵指標是“晶體零微管缺陷”。在半導體領域，微管缺陷被稱為“殺手級缺陷”，它就像是混凝土路面上的空洞，會直接導致芯片失效。
在國際標準中，道康寧（Dow Corning）等國際巨頭曾將微管缺陷密度控制在0.1 cm?2以下作為高端產品的門檻 。天成此次實現(xiàn)的“零微管缺陷”，意味著其晶體質量已達到甚至超越國際一線水平。 這背后依托的是完全自主研發(fā)的長晶設備——這很關鍵，因為核心設備不受制于人，意味著技術迭代的主動權掌握在自己手里。
曾幾何時，碳化硅襯底市場呈現(xiàn)高度壟斷的“金字塔”結構。但最近兩年，這一格局被中國企業(yè)徹底打破。
根據日本富士經濟及法國Yole等權威機構發(fā)布的最新數據，中國碳化硅襯底龍頭企業(yè)天岳先進在全球碳化硅襯底市場的整體占有率已躍居全球第一。其中，6英寸襯底市占率達27.5%，8英寸襯底市占率更是高達51.3%至60%，位居全球首位。這意味著在全球8英寸碳化硅襯底的供應中，中國貢獻了超過一半。
在市場規(guī)模層面，2025年全球碳化硅功率半導體市場規(guī)模約為15.5億美元，預計到2030年將增至44.4億美元。而在襯底環(huán)節(jié)，2025年全球碳化硅襯底市場估計為11.8億美元，預計到2032年將達到30.16億美元。中國企業(yè)的產能擴張速度正在改寫這些預測數據。 2025年，僅天岳先進一家的碳化硅產能就超過69萬片，同比增長68.31%。
此次14英寸碳化硅單晶的成功研制，除了對新能源汽車主驅逆變器、800V高壓平臺的成本降低具有重要意義外，還為兩個細分領域帶來了“及時雨”。
一是半導體設備零部件市場。 根據天成半導體的技術規(guī)劃，14英寸碳化硅單晶材料主要應用于碳化硅部件——即半導體制造設備中的關鍵零部件。在等離子體刻蝕、外延生長、離子注入等環(huán)節(jié)，設備需要在強腐蝕性、超高溫的惡劣環(huán)境中運行，碳化硅部件因其高導熱、耐腐蝕等特性成為不可替代的材料。目前，這個市場幾乎被國外供應商壟斷，14英寸大尺寸部件的突破有望打破這一僵局。
二是新興應用場景。 AR眼鏡（光波導）和AI芯片先進封裝等領域對12英寸甚至更大尺寸的碳化硅技術需求日益凸顯。隨著AI算力需求的爆發(fā)，芯片封裝對中介層的材料要求越來越高，碳化硅憑借其優(yōu)異的物理性能正在成為新的選擇。
因此，天成半導體14英寸的突破，標志著中國在第三代半導體大尺寸技術賽道上不再只是追趕者，而成為全球技術主流賽道的重要參與者。
當然，我們也要清醒地看到，從“研制成功”到“大規(guī)模量產”之間仍有良率、成本、穩(wěn)定性等重重考驗。但可以肯定的是，隨著中國企業(yè)在核心技術上的持續(xù)深耕，全球碳化硅市場格局已經從“一家獨大”走向“群雄并起”，國產替代的進程正在加速。 正如業(yè)界戲言的那樣：再這么發(fā)展下去，碳化硅可能很快又要被某些人“踢出”高科技的行列了。
