近日，積塔半導體在上海舉辦2026半導體技術創新研討會。在研討會上，積塔半導體與英飛凌正式簽署項目合作協議，雙方將圍繞嵌入式非易失存儲等領域深化技術協作，共同推動特色工藝代工能力升級。此次合作標志著積塔在國際高端合作伙伴中的認可度進一步提升。
積塔存儲技術布局升級
積塔半導體已形成eFlash、SONOS、RRAM三條路線并行發展，為客戶提供多元化選擇。此次引入英飛凌支持的SONOS技術，以其工藝兼容性好、集成成本低、量產數據充分的特點，進一步豐富了高可靠且成本敏感場景下的解決方案。存儲技術已成為積塔差異化競爭的核心優勢之一。
依托持續完善的工藝體系，積塔可向客戶提供“存儲+控制+驅動+功率”的一站式代工服務，實現從單一工藝優勢到方案化平臺能力的躍升。這不僅降低客戶供應鏈復雜度，還提升整體系統集成效率，為汽車電子、工業控制等領域提供更具競爭力的解決方案。
積塔半導體公司概況
積塔半導體專注于半導體集成電路芯片特色工藝的研發和生產制造。在上海臨港新片區和徐匯區建有兩個廠區，已建和在建產能共計30萬片/月（折合8英寸計算），涵蓋6英寸7萬片/月、8英寸12萬片/月、12英寸6萬片/月以及碳化硅1萬片/月。公司現有員工4700余人，擁有近40年車規級芯片制造質量管理和規模量產經驗。
積塔最新動態與產能布局
2026年，積塔繼續推進產能建設與技術創新。公司定位為Chiplet生態重要參與者，圍繞存儲、功率等關鍵單元進行系統投入。近期成功舉辦技術創新研討會，并持續加碼SiC產線，計劃將總產能提升至更高水平，聚焦汽車電子、工業控制和高端消費電子核心芯片制造平臺。
積塔半導體副總經理王俊在今年2月接受媒體專訪時表示，傳統芯片產業鏈線性分工正在被打破。Chiplet架構要求制造與封裝在設計早期深度協同。同一家代工廠提供不同功能模塊，能在接口定義、性能匹配、良率控制及長期量產穩定性上帶來天然優勢。
根據IDC估算，截至2025年中國成熟制程芯片產能占全球約28%，SEMI預測到2027年這一比例有望提升至39%。成熟制程不再是簡單“補位產能”，而正成為全球半導體制造格局中的關鍵變量。積塔作為其中重要力量，正積極把握這一歷史機遇。
英飛凌最新動態與技術布局
英飛凌作為全球功率半導體領導者，在2026年持續推進GaN與SiC技術創新。公司發布GaN Insights 2026，預測GaN市場至2030年復合增長率達44%，規模達30億美元。同時加大AI數據中心電源投資，并與多家車企簽署長期SiC/Si功率半導體供貨協議。
英飛凌2026財年開局良好，加速AI相關產能投資，計劃將AI電源解決方案營收從當前約15億歐元提升至更高水平。公司推出CoolGaN Drive HB 600V G5系列產品，集成半橋解決方案，進一步降低GaN設計復雜度，提升功率密度，廣泛應用于數據中心、工業和汽車領域。
雙方合作共贏展望
此次積塔與英飛凌合作，將融合積塔特色存儲工藝與英飛凌在功率、汽車電子領域的全球優勢，共同推動嵌入式非易失存儲技術創新。合作不僅助力雙方技術升級，還將為汽車智能化、工業自動化等高可靠應用提供更強支撐，增強全球半導體供應鏈韌性。
