ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！

2026年4月21日，全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布，開發出新一代EcoSiC?——“第5代SiC  MOSFET”，該產品非常適用于xEV(電動汽車)用牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統以及AI服務器電源和數據中心等工業設備的電源。

ROHM在開發第5代SiC  MOSFET的過程中，通過改進器件結構并優化制造工藝，與以往的第4代產品相比，成功地將功率電子電路實際使用環境中備受重視的高溫工作時(Tj=175℃)的導通電阻降低約30%(相同耐壓、相同芯片尺寸條件下比較)。在xEV用牽引逆變器等需要在高溫環境下使用的應用中，該產品有助于縮小單元體積，提高輸出功率。

第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片樣品，并于2026年3月完成開發。

另外，ROHM計劃從2026年7月起開始提供配有第5代SiC  MOSFET的分立器件和模塊的樣品。未來，ROHM將進一步擴大產品陣容，同時完善設計工具，并強化針對應用產品設計的支持體系。

近年來，在工業設備領域，隨著生成式AI和大規模數據處理技術的普及，用于AI處理等的高性能服務器的引進速度不斷加快。由于這類應用的功率密度不斷提高，引發了業界對電力系統負荷加重以及局部供需緊張的擔憂。作為解決這一難題的對策，將太陽能等可再生能源與供電網絡等相結合的智能電網備受關注，但能源轉換和蓄電過程中的損耗降低仍是一大挑戰。在車載領域的下一代電動汽車中，除了延長續航里程和提升充電速度之外，還要求進一步降低逆變器損耗、提升OBC(車載充電器)性能。因此，在上述數千瓦到數百千瓦級大功率應用中，能夠實現損耗降低與高效化兼顧的SiC器件正在加速普及。

ROHM于2010年在全球率先開始量產SiC  MOSFET，并很早就推出了符合車規級可靠性標準(AEC-Q101)的產品群，通過將SiC廣泛應用于各種大功率應用中，助力降低能源損耗。此外，第4代SiC  MOSFET于2020年6月開始提供樣品，并在SiC的普及階段就推出了分立器件和模塊等豐富多樣的產品陣容，目前已在全球車載設備和工業設備領域得到了廣泛應用。此次ROHM開發出的第5代SiC  MOSFET實現了業界超低損耗，將進一步擴大SiC的應用領域。

未來，ROHM計劃進一步擴充第5代SiC  MOSFET的耐壓和封裝陣容，同時，通過推動已進入普及階段的SiC在各個領域的實際應用，為提高各種大功率應用的電能利用效率持續貢獻力量。

車載設備：xEV用牽引逆變器、車載充電器(OBC)、DC-DC轉換器、電動壓縮機

工業設備：AI服務器及數據中心等的電源、PV逆變器、ESS(儲能系統)、UPS(不間斷電源)

eVTOL、AC伺服

EcoSiC?是采用了因性能優于硅(Si)而在功率元器件領域備受關注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系，目前已經確立了SiC領域先進企業的地位。

EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

*) 牽引逆變器

電動汽車的驅動電機采用的是相位差為120度的三相交流電驅動。將來自電池的直流電轉換為交流電以實現這種三相交流電的逆變器即牽引逆變器。

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