中微公司Q1凈利暴增197.2%!

4月27日晚間，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大廠中微公司披露了2026年第一季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示，公司在2025年高增長的基礎(chǔ)上，2026年開局依舊強(qiáng)勁，一季度營業(yè)收入和凈利潤均實(shí)現(xiàn)大幅增長，其中歸母凈利潤同比暴漲接近兩倍。

一季度凈利同比暴漲197.20%

2026年第一季度，中微公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入29.15億元，較上年同期的21.73億元增長34.13%。實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤9.30億元，較上年同期的3.13億元暴漲197.20%。實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤4.78億元，較上年同期的2.98億元增長60.09%。

中微公司解釋稱，一季度應(yīng)用收入增長，主要是由于公司針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲器件超高深寬比刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。公司為先進(jìn)存儲器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD, ALD等多款導(dǎo)體和介質(zhì)薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加，新增付運(yùn)量保持快速增長，并在客戶端持續(xù)應(yīng)用在迭代產(chǎn)品上。

至于中微公司一季度凈利潤同比增長近兩倍，則主要得益于：營業(yè)收入增長34.13%的同時，毛利較上年增長約2.60億元。同時，一季度出售了部分持有的拓荊科技股份有限公司股票，產(chǎn)生稅后凈收益約3.97億元，計(jì)入非經(jīng)常性損益。

值得一提的是，中微公司一季度研發(fā)支出合計(jì)9.08億元，較上年同期的6.87億元增長32.15%，研發(fā)支出占營業(yè)收入比例約為31.14%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板上市公司平均水平。

三大產(chǎn)品線新產(chǎn)品均已進(jìn)入客戶端驗(yàn)證階段

從具體的業(yè)務(wù)來看，一季度中微公司的刻蝕、薄膜沉積、MOCVD三條產(chǎn)品線均有重要技術(shù)突破和新產(chǎn)品進(jìn)入客戶端驗(yàn)證，為未來持續(xù)增長奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。截至一季度末，中微公司累計(jì)已有超過 8300 個反應(yīng)臺在國內(nèi)外 180 余條客戶芯片及LED 生產(chǎn)線全面量產(chǎn)。

1、刻蝕設(shè)備業(yè)務(wù)

中微公司在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先。針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升。在先進(jìn)存儲器件制造工藝中，公司完全自主開發(fā)的針對超高深寬比刻蝕工藝的刻蝕機(jī)已有300多臺反應(yīng)器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的大規(guī)模量產(chǎn)。

電容性耦合等離子體刻蝕（CCP）設(shè)備方面，用于關(guān)鍵刻蝕工藝的介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品持續(xù)保持高速增長，下一代90:1超高深寬比低溫刻蝕設(shè)備已運(yùn)付客戶端進(jìn)行驗(yàn)證，公司已全面覆蓋存儲器刻蝕應(yīng)用中各類超高深寬比需求。

電感性耦合等離子體刻蝕（ICP）設(shè)備方面，適用于新一代邏輯和存儲芯片制造用的第二代ICP刻蝕設(shè)備Primo Angnova在3D DRAM的應(yīng)用中，取得了140:1的高深寬刻蝕結(jié)果和形貌控制能力，并付運(yùn)到國內(nèi)領(lǐng)先存儲客戶端認(rèn)證。全新的化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備Primo Domingo實(shí)現(xiàn)大于700:1的業(yè)界領(lǐng)先硅鍺/硅高選擇比，在環(huán)繞式柵極晶體管（GAA）和3D DRAM關(guān)鍵工藝的實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證中展現(xiàn)優(yōu)異的刻蝕性能，全面滿足客戶的各項(xiàng)工藝指標(biāo)要求。

2、薄膜沉積設(shè)備業(yè)務(wù)

中微公司以行業(yè)領(lǐng)先的研發(fā)速度，在短時間內(nèi)成功開發(fā)出十多種薄膜設(shè)備，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、原子層沉積（ALD）、外延（EPI）、物理氣相沉積銅阻擋層（PVD CuBS）和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）等產(chǎn)品。在先進(jìn)存儲和先進(jìn)邏輯市場，公司薄膜設(shè)備的新增付運(yùn)量保持快速增長，2025年薄膜設(shè)備營收同比大幅增長約224.23%，成為公司業(yè)績增長的重要新引擎。

公司為先進(jìn)邏輯和先進(jìn)存儲器件金屬柵應(yīng)用開發(fā)的ALD系列產(chǎn)品，設(shè)備性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平，同時表現(xiàn)出更優(yōu)異的生產(chǎn)效率。可用于先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造的核心金屬薄膜沉積產(chǎn)品正在開發(fā)中，項(xiàng)目順利推進(jìn)。所開發(fā)的多款核心介質(zhì)沉積設(shè)備都在有序推進(jìn)，與客戶的各項(xiàng)驗(yàn)證工作取得良好進(jìn)展。

公司的減壓 EPI 設(shè)備已在成熟制程客戶端驗(yàn)證成功，也已付運(yùn)先進(jìn)制程客戶端，部分先進(jìn)工藝已進(jìn)入量產(chǎn)驗(yàn)證階段。常壓外延設(shè)備現(xiàn)已完成開發(fā)，進(jìn)入晶圓驗(yàn)證階段。

3、MOCVD設(shè)備業(yè)務(wù)

中微公司持續(xù)保持國際氮化鎵基MOCVD設(shè)備市場領(lǐng)先地位，積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展。

四款MOCVD新產(chǎn)品，包括用于碳化硅和氮化鎵功率器件的MOCVD、用于Micro LED的氮化鎵MOCVD和用于紅黃光LED的砷化鎵MOCVD設(shè)備，已進(jìn)入客戶端驗(yàn)證階段，并且部分得到批量訂貨。

小結(jié)：

中微公司2026年一季度延續(xù)了高速增長態(tài)勢。營業(yè)收入在2025年全年增長36.62%的基礎(chǔ)上，一季度同比增長34.13%。歸母凈利潤增長近兩倍，盡管其中有出售拓荊科技股票帶來的一次性收益貢獻(xiàn)，但扣非凈利潤仍實(shí)現(xiàn)超過60%的增長。更重要的是，公司研發(fā)投入強(qiáng)度維持在31%以上的極高水平，并且刻蝕、薄膜沉積、MOCVD三條產(chǎn)品線均有重要技術(shù)突破和新產(chǎn)品進(jìn)入客戶端驗(yàn)證，為未來持續(xù)增長奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

編輯：芯智訊-浪客劍