人工智能、具身智能、低空經濟、6G、量子科技……未來產業正以超乎想象的速度迭代，而底層的材料與器件革命，正在高校和科研院所的實驗室里悄然發生。
第三代半導體（碳化硅SiC、氮化鎵GaN）與第四代半導體（氧化鎵Ga?O?、氮化鋁AlN、金剛石等超寬禁帶材料），已成為支撐高功率、高頻高速、高可靠性電子系統的核心關鍵。
目前，中國科學院寧波材料技術與工程研究所、中國電子科技集團公司第十三研究所、河北工業大學、阿基米德半導體四家單位已率先鎖定展位，將在科技創新成果展區集中亮相，展現從基礎研究到產業化落地的最新成果。
中科院寧波材料所——國內新材料及相關領域的重要研究基地和技術提供者，近日，在半導體領域，該所高導熱金剛石/銅散熱模組已成功應用于曙光數創兆瓦級液冷整機柜，實測芯片模組傳熱能力提升約80%，芯片性能提升約10%，并在國家超算節點實現集群部署，完成了從實驗室材料創新到國家級工程驗證的跨越。此外，該所在高結晶連續碳化硅纖維、高端碳化硅陶瓷及超平金剛石散熱薄膜等方向同樣成果豐碩，多個項目已進入產業轉化快車道。
中電科13所——是我國重要的高端核心電子器件供應基地、半導體新器件新技術創新基地。13所研發涉及微電子、光電子、半導體高端傳感器、光機電集成微系統、微機械電子系統（MEMS）五大領域以及材料、封裝、設備儀器等支撐領域。。其系列化GaN射頻與功率器件已在5G通信基站、雷達電子、衛星載荷等戰略領域實現應用。在金剛石領域，馮志紅、蔚翠團隊近期在《Diamond & Related Materials》發表重要成果，成功研制出高電流密度、閾值穩定的常關型金剛石MOSFET，首次證明厚介質重疊柵結構在常關型功率器件中的可行性，為金剛石器件走向實際RF功率應用奠定了關鍵基礎。
河北工業大學——京津冀地區半導體材料研究的重要高校力量，在金剛石領域，學校于2025年牽頭承擔國家重點研發計劃“高功率高相干金剛石激光器關鍵技術及應用合作攻關”項目，同年發起成立我國首個“金剛石激光技術及應用協同創新中心”。在碳化硅領域，碳化硅晶圓超精密加工與化學機械平坦化（CMP）方向積累深厚，其“先進技術節點集成電路拋光液”成果已通過中芯國際MSTR測試、良率達99%以上。
阿基米德半導體——專注于碳化硅及氮化鎵功率器件與模塊的研發制造，已推出多款車規級SiC MOSFET和GaN功率器件產品，核心團隊源自高校及科研院所技術成果轉化，是“科研—產業”高效銜接的典型代表，產品已批量進入新能源汽車、光伏儲能、數據中心電源等主流應用市場。在金剛石功率模塊這一前沿賽道上，公司同樣走在前列：2026年4月，阿基米德正式發布行業首款量產級“Diamond Inside”系列1200V金剛石集成三電平功率模塊——通過異質集成工藝將金剛石材料深度嵌入模塊內部，熱阻較傳統方案直降40%，同時實現整機減重30%，從模塊內部結構層面重新定義了高功率密度場景下的熱管理范式
近年來，更多產學研深度融合成果持續涌現：山東大學聯合華為研制出世界首款1200V垂直型硅基氮化鎵晶體管，性能與昂貴的GaN襯底器件相當、成本僅為其1/900，為千伏級電力電子系統提供了高性能低成本方案；山東大學徐現剛、張雷教授團隊的GaN單晶生長與襯底加工技術成功孵化山東晶鎵半導體，2024年已完成成果轉化并建成中試線，實現2-4英寸GaN單晶襯底量產；甬江實驗室與中電化合物簽署戰略合作，圍繞AR眼鏡用光學碳化硅晶片展開深度研發；杭州光機所孵化的富加鎵業，聯合上海光機所、復旦大學、西安電子科技大學等力量，圍繞器件端需求開展材料—器件協同優化與驗證，加快推進氧化鎵材料性能迭代與功率器件示范應用。
FINE2026先進半導體展特設科技創新成果展區（位于N1館），專門面向高校、科研院所、重點實驗室及企業等科技創新成果團隊，集中展示第三代/第四代半導體領域的最新科研成果、前沿技術、樣品器件等產業化應用方案。
展區優勢突出：
展區位置有限，歡迎擁有新成果、新技術、新樣品的高校、研究所、實驗室平臺積極報名參展！
展會基本信息：
咨詢展位/報名聯系：李蕊 13373875075（微信同號）
好技術不該被埋沒！ FINE2026科技創新成果展區為您提供專業展示舞臺與全產業鏈對接資源。讓前沿科研成果走向產業一線，共同推動中國先進半導體實現從“并跑”到“領跑”的跨越！
展位有限，歡迎盡早報名，搶占黃金展示位置。
