從細分領域來看，DRAM和NAND都在狂奔。
DRAM（動態隨機存取存儲器） ——也就是我們常說的內存條核心芯片——2026年設備支出預計達到370億美元，占據總投資的71%，同比增長29%。DRAM之所以成為投資絕對主力，背后是人工智能浪潮對HBM（高帶寬內存） 和DDR5內存的強勁需求。HBM可以理解為一種“貼著處理器擺放的超高速內存”，它能讓AI芯片在處理大模型時不再“等數據”，是當前AI服務器中不可或缺的關鍵部件。
3D NAND（三維閃存） ——也就是固態硬盤（SSD）的核心——2026年設備支出預計達到140億美元，同比增長28%。AI的爆發不僅需要更快的計算，還需要更大的存儲空間來存放海量訓練數據和模型參數。
半導體存儲設備投資狂潮并非憑空而來。SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha明確指出：“對HBM及其他先進存儲技術的強勁需求，正在重塑整個半導體供應鏈的投資優先級?！?/span>
數據最能說明問題。據美銀預測，全球DRAM和NAND市場規模將在2026年達到8768億美元，2027年更是有望突破1.2萬億美元。存儲芯片市場規模的高速膨脹，正是設備投資大幅增長的底層邏輯。
從更宏觀的視角看，2026年全球12英寸晶圓廠半導體設備總支出預計達到1330億美元，2029年有望突破1700億美元。存儲領域的520億美元雖然只是其中的一部分，但其29%的同比增速遠超整體市場的18%增速——存儲，正成為本輪半導體擴張中最活躍的引擎。
產能方面同樣在快速擴張。報告預計，2026年全球300mm存儲半導體晶圓月產能將達到410萬片，2027年進一步增至420萬片。這相當于每個月多生產出足夠裝備數百萬臺AI服務器的存儲芯片晶圓。
更值得關注的是長期趨勢。SEMI報告顯示，2024年至2029年間，全球存儲領域12英寸晶圓廠設備支出將以19%的復合年增長率持續攀升。這意味著六年間，存儲設備投資規模將增長近兩倍。
這一增長勢頭的背后，是主要存儲廠商正在全力推進的擴產計劃。以SK海力士為例，該公司規劃五年內晶圓產能翻倍、2034年產能擴至三倍，2026年資本支出將大幅高于往年。三星同樣開啟了萬億級擴產。這些巨額資本開支直接拉動了上游設備采購需求，全球設備龍頭應用材料、泛林、東京電子等訂單能見度持續延長。
當然，隨著先進制程DRAM、HBM以及更高層數3D NAND技術節點的不斷演進，工藝復雜度持續上升，技術遷移過程對有效產能增速形成了一定抑制，使得產能增長保持“溫和而可控”的態勢。換言之，錢花出去了，但技術的門檻也在不斷提高。
