頂面散熱新封裝！ROHM推出高耐壓且散熱性能優異的SiC MOSFET

2026年7月9日，全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布，推出SiC  MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封裝。新產品為可自動安裝的表貼型產品，通過采用將散熱面置于封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝(TO-247-4L)同等級別的散熱性能。在將該器件用于電動汽車(xEV)的車載充電器(OBC)和電動壓縮機等應用時，可有助于提升功率轉換電路的效率和可靠性。

新產品通過采用ROHM自有的溝槽設計，確保了6.66mm業界先進水平的爬電距離*1。新產品不僅與市場上廣泛普及的封裝兼容，同時，還實現了污染等級2級*2環境下1200V交流峰值電壓耐受能力。因此，在高耐壓應用中可實現安全的絕緣設計，有助于降低安裝成本并提高可靠性。

另外，通過搭載ROHM第4代SiC  MOSFET，還實現了低導通電阻和高速開關特性。這使得功率轉換時的開關損耗大幅降低，有助于應用產品進一步提高效率并更加節能。

新產品已于2026年6月開始量產(樣品價格：5500円日元/個，不含稅)，且同時開始線上銷售。此外，ROHM官網還提供仿真模型，助力客戶快速進行電路評估。

未來，ROHM將通過進一步擴充SiC MOSFET產品陣容，為電子設備實現更高性能、更小體積與更高可靠性提供支持。

在電動汽車(xEV)中，為了提高充電速度并延長續航里程，除了主驅逆變器外，SiC器件在車載充電器(OBC)和電動壓縮機等的功率轉換電路中的應用也在不斷擴大。另外，在工業設備領域，作為有助于高性能服務器電源和光伏逆變器等設備高效工作的器件，SiC器件的應用也持續增長。傳統的SiC器件為了在大功率運行時有效散熱，主要采用的是散熱性能優異的插裝型封裝。但是，插裝型封裝不僅涉及手工安裝工序，還存在因封裝形狀限制而難以實現薄型化的問題。對此，近年來可自動安裝的表貼型SiC器件開始普及。新產品采用表貼型封裝，卻實現了與TO-247等插裝型封裝同等級別的散熱性能。

車載設備：車載充電器(OBC)、電動壓縮機等

工業設備：光伏逆變器、服務器電源等

EcoSiC?是采用了因性能優于硅(Si)而在功率元器件領域備受關注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法，ROHM一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產體系，目前已經確立了SiC領域先進企業的地位。

EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

*1) 爬電距離

兩個導體之間沿絕緣表面測得的最短距離。在半導體設計中，為了防止觸電、漏電、半導體產品短路，需要采取確保爬電距離和電氣間隙的絕緣對策。

*2) 污染等級2級

污染等級2級相當于家庭和辦公室等常見的環境，即僅存在干燥的非導電污染物的狀態。污染等級是確定元器件的電氣間隙和爬電距離時會產生影響的環境等級，根據污染物質的有無、數量和狀態分為1～4級。