#英飛凌 近日宣布推出RIC70115抗輻射柵極驅動芯片。該產品專為氮化鎵功率半導體控制設計，同時兼容硅基器件，主要面向衛星及其他高可靠性航天應用場景。
太空中的輻射環境對半導體器件構成雙重威脅：累積性輻射損傷會逐步劣化器件性能，而高能粒子引發的單粒子效應則可能導致電路瞬間誤動作。RIC70115在總電離劑量方面可耐受最高100krad(Si)，在線性能量傳輸指標方面通過最高81.9MeV·cm2/mg的高能粒子沖擊驗證。英飛凌表示，這一防護等級不僅覆蓋近地軌道衛星任務，亦可滿足更嚴苛的深空探測需求。
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在功能集成方面，RIC70115內置米勒鉗位功能，可有效防止電壓瞬變引發的功率管誤導通；搭載降噪電路以抑制電磁與射頻干擾；同時集成的低壓差線性穩壓器可由5V或12V輸入生成4.8V驅動電壓，有助于減少外圍元件數量。該芯片支持-55℃至+125℃工作溫度范圍，符合MIL-PRF-38535軍工航天標準。
英飛凌高可靠性事業部高級副總裁邁克·米爾斯表示，該產品旨在支持航天電力系統向氮化鎵架構的過渡。目前RIC70115芯片及其配套評估板RIC70115EVAL1已正式上市銷售。
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