CPO 封裝集成度高、功耗密度大，且光器件對溫度波動敏感，封裝級散熱方案直接決定產品性能與長期可靠性。晶和科技總經理梁劍波，以《金剛石異質集成與常溫鍵合技術在先進封裝中的應用》為題在大會開幕式上作報告。晶和科技的技術裝備，可將超高導熱金剛石材料集成到封裝結構中，無需高溫制程即可實現高強度、低熱阻的互連效果，大幅提升 CPO 封裝的散熱能力；同時常溫鍵合工藝避免了高溫制程對光電器件的熱損傷，為高功耗 CPO 封裝提供了封裝級散熱解決方案。這項技術突破，更是填補了金剛石基異質集成制程裝備的國內空白。
大會期間，晶和科技在展區專門設置了展位，向行業專家及同仁展示晶和科技的最新技術裝備，交流分享先進封裝與高算力熱管理的更多可能性，以及異質材料集成的產業化發展新機遇。
作為專注于寬禁帶半導體材料異質集成與高端裝備自主研發的高新技術企業。晶和科技從成立之初就確立了以攻克“常溫超高真空直接鍵合”這一國際卡脖子技術的使命，且不到兩年時間就取得了行業突破性進展。今后，晶和科技將繼續在國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）與江蘇第三代半導體研究院的指導下，以梁劍波總經理為核心，向著“打造全球領先的異質材料集成技術平臺與專用裝備制造商”的目標奮力前行。
蘇州晶和半導體科技有限公司是由國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）與江蘇第三代半導體研究院孵化成立，是一家專注于寬禁帶半導體材料異質集成與高端裝備自主研發的高新技術企業。公司以攻克“常溫超高真空直接鍵合”這一國際卡脖子技術為使命，致力于打造全球領先的異質材料集成技術平臺與專用裝備制造商。
研發團隊由國際半導體設備領域頂尖專家領銜，具備十八年的技術積淀，在半導體裝備、先進封裝工藝及材料界面科學方面形成了獨特優勢。核心產品RTDB系列超高真空常溫直接鍵合裝備，聚焦第一至第四代半導體材料（包括金剛石、GaN、SiC、Si、AlN等）的常溫直接鍵合，現已成功完成2英寸、4英寸、6英寸及8英寸機型的正式下線。本產品突破了金剛石、GaN、SiC等高熱導材料在鍵合中面臨的熱膨脹失配、界面熱阻高和良率低等國際性難題，其關鍵性能指標達到國際先進水平。設備具備超高真空（≤10?? Pa）環境控制、雙攝像頭透射/反射混合成像系統、六軸對位平臺，并搭載自動溫漂補償與高精度圖像識別算法，可實現多種異質材料的高效、穩定批量集成。
來源：晶合科技
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