多家產(chǎn)業(yè)鏈信源同步披露，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首款LPDDR6產(chǎn)品的研發(fā)驗(yàn)證已接近尾聲，向著首發(fā)量產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步，在高端移動(dòng)端內(nèi)存的前沿技術(shù)競(jìng)賽中掌握先發(fā)主動(dòng)權(quán)。
據(jù)悉，LPDDR產(chǎn)品的導(dǎo)入一般有四個(gè)重要節(jié)點(diǎn)，包括顆粒單體驗(yàn)證、研發(fā)驗(yàn)證、小批量導(dǎo)入驗(yàn)證，最后就是進(jìn)入正式量產(chǎn)階段，一款手機(jī)內(nèi)存芯片真正在終端側(cè)落地前，需要經(jīng)歷數(shù)道嚴(yán)苛考驗(yàn)。
當(dāng)前長(zhǎng)鑫已經(jīng)走完前期核心驗(yàn)證流程，研發(fā)階段針對(duì)軟硬件兼容性、整機(jī)系統(tǒng)穩(wěn)定、性能功耗平衡、結(jié)構(gòu)機(jī)械耐久等多維度完成極限測(cè)試，提前規(guī)避芯片量產(chǎn)裝車后的各類適配故障，保障終端產(chǎn)品長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)早在今年3月便已將LPDDR6樣品送至核心客戶，并有望于2026年下半年實(shí)現(xiàn)全球首發(fā)量產(chǎn)導(dǎo)入。
在具體規(guī)格上，長(zhǎng)鑫首款LPDDR6產(chǎn)品設(shè)計(jì)速率達(dá)到12800 Mbps，與SoC協(xié)同運(yùn)行的基礎(chǔ)速率為10667 Mbps；顆粒容量為16Gb，芯片容量達(dá)16GB，采用1295 Ball的POP封裝。
相較于上一代LPDDR5X產(chǎn)品，其在低功耗設(shè)計(jì)與RAS（可靠性、可用性和可維護(hù)性）功能上均實(shí)現(xiàn)了明顯的優(yōu)化提升。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)順利推進(jìn)LPDDR6驗(yàn)證落地，代表國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)完成歷史性轉(zhuǎn)折，正式從高端存儲(chǔ)技術(shù)跟隨者轉(zhuǎn)變?yōu)榍把匾?guī)格領(lǐng)跑者，終結(jié)海外存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)期把控移動(dòng)內(nèi)存迭代節(jié)奏的格局。
依托本土供應(yīng)鏈快速定制、就近技術(shù)服務(wù)的核心優(yōu)勢(shì)，長(zhǎng)鑫LPDDR6會(huì)重塑全球高端移動(dòng)存儲(chǔ)供貨結(jié)構(gòu)，為國(guó)產(chǎn)旗艦手機(jī)、端側(cè)AI硬件供給自主可控的高速內(nèi)存核心器件，完善移動(dòng)端半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化鏈條。
長(zhǎng)鑫作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)原廠的崛起固然關(guān)鍵，但要真正構(gòu)建自主可控的LPDDR6生態(tài)，還需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的技術(shù)協(xié)同。就在長(zhǎng)鑫加速推進(jìn)LPDDR6量產(chǎn)的同時(shí)，國(guó)產(chǎn)IP廠商也在這場(chǎng)移動(dòng)存儲(chǔ)的升級(jí)競(jìng)賽中拿到了入場(chǎng)券。
中國(guó)IP廠商芯動(dòng)科技近日在上海召開發(fā)布會(huì)，并確認(rèn)其自研LPDDR6/5X Combo內(nèi)存接口IP已被一家韓國(guó)主要DRAM制造商采用。官方未披露具體客戶名稱，但業(yè)界普遍認(rèn)為目標(biāo)指向三星或SK海力士。
該LPDDR6 IP單通道數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)14.4Gbps，較前代LPDDR5X提升約50%。這一速率提升得益于LPDDR6架構(gòu)本身的升級(jí)，傳輸通道從16位擴(kuò)展至24位，單芯片峰值帶寬因此可達(dá)38.4GB/s。
同時(shí)，IP具備ECS自動(dòng)/手動(dòng)校準(zhǔn)、Link ECC糾錯(cuò)、DVFSL動(dòng)態(tài)調(diào)壓、x24/x48突發(fā)模式等功能。
在AI場(chǎng)景優(yōu)化方面，該IP針對(duì)大模型長(zhǎng)上下文場(chǎng)景下的高頻KV Cache讀寫進(jìn)行了端到端時(shí)序優(yōu)化與信號(hào)完整性仿真迭代，有效降低了傳輸抖動(dòng)與信號(hào)損耗。
需要指出的是，該IP完全采用國(guó)產(chǎn)EDA工具集設(shè)計(jì)，覆蓋28nm到3nm工藝節(jié)點(diǎn)。
芯動(dòng)科技表示其IP已累計(jì)支持超100億顆SoC量產(chǎn)。這次拿下韓國(guó)巨頭訂單，意味著國(guó)產(chǎn)IP在高端存儲(chǔ)接口領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)真正反向輸出。
本次發(fā)布會(huì)芯動(dòng)科技還同步展示了完整的高端存儲(chǔ)與互聯(lián)IP矩陣，涵蓋HBM4、GDDR7、DDR5 MRDIMM、PCIe 6.0及224G SerDes等方案。三星、臺(tái)積電、中芯國(guó)際等30余家產(chǎn)業(yè)鏈頭部企業(yè)出席了本次發(fā)布會(huì)。
在存儲(chǔ)IP的全面布局之外，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在內(nèi)存互連與控制芯片賽道也迎來了全球性的突破。
瀾起科技宣布在全球率先試產(chǎn)CXL 3.2內(nèi)存擴(kuò)展控制器芯片。該芯片面向AI、云計(jì)算、數(shù)據(jù)中心場(chǎng)景的內(nèi)存擴(kuò)展與資源池化需求，通過CXL技術(shù)構(gòu)建更大容量、更高利用率的內(nèi)存基礎(chǔ)設(shè)施。
這款MXC芯片符合CXL Type 3規(guī)范，支持CXL.mem和CXL.io協(xié)議，集成PCIe 6.x接口，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)64GT/s。芯片內(nèi)置雙通道DDR5內(nèi)存控制器，最高支持8000MT/s速率。
通過將主機(jī)側(cè)CXL請(qǐng)求實(shí)時(shí)轉(zhuǎn)換為DDR命令，MXC芯片突破了傳統(tǒng)服務(wù)器的內(nèi)存容量瓶頸。芯片還集成PCIe 6.x PHY、DDR5 PHY、雙RISC-V處理器子系統(tǒng)和豐富管理接口。
同時(shí)，搭配完整SDK和測(cè)試工具，客戶可快速完成產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)驗(yàn)證。
CXL 3.2 MXC已成功導(dǎo)入三星、SK海力士等主要內(nèi)存模組廠商的下一代CXL產(chǎn)品中，并已完成初步驗(yàn)證。方案支持英特爾至強(qiáng)、AMD EPYC等主流服務(wù)器平臺(tái)。
在AI大潮中內(nèi)存需求持續(xù)飆升的背景下，MXC芯片為客戶提供了高帶寬、大容量、高可靠性的內(nèi)存擴(kuò)展方案。瀾起科技總裁Stephen Tai表示，此次試產(chǎn)是公司在CXL創(chuàng)新和商業(yè)化進(jìn)程中的重要里程碑。
瀾起科技還將參加8月3日的CXL DevCon和8月4日到6日的FMS展會(huì)，在美國(guó)圣克拉拉展示完整解決方案。
值得一提的是，SK海力士計(jì)劃在下半年啟動(dòng)LPDDR6供貨，與長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)量產(chǎn)導(dǎo)入的時(shí)間窗口幾乎重合。兩家公司在同一賽道、同一時(shí)間節(jié)點(diǎn)的正面交鋒，即將在2026年下半年展開。
據(jù)報(bào)道，SK海力士今日正式敲定LPDDR6內(nèi)存的量產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)將于2026年下半年開始出貨。
報(bào)道指出，SK海力士在2025年3月便完成了LPDDR6的整體研發(fā)，并在今年3月拿下了全球首個(gè)產(chǎn)品開發(fā)認(rèn)證，目前該廠商正處于產(chǎn)線調(diào)試與工藝優(yōu)化的最后階段。
在技術(shù)規(guī)格上，SK海力士LPDDR6采用了10納米級(jí)第六代（1c）先進(jìn)DRAM工藝，相比目前的LPDDR5X實(shí)現(xiàn)了速度與能效的代際跨越。
這種高帶寬、低功耗的特性，主要為了適配旗艦手機(jī)日益沉重的端側(cè)AI運(yùn)算、大型手游以及多任務(wù)高頻切換需求。
值得關(guān)注的是，LPDDR的應(yīng)用邊界正從消費(fèi)端向服務(wù)器場(chǎng)景延伸。基于LPDDR架構(gòu)的SOCAMM低功耗內(nèi)存模塊，已成為邊緣AI服務(wù)器、智能體算力平臺(tái)的補(bǔ)充存儲(chǔ)方案；英偉達(dá)Vera CPU便采用了SOCAMM形態(tài)的LPDDR5X內(nèi)存方案，主打能效優(yōu)先的AI控制類負(fù)載，后續(xù)迭代的SOCAMM 2規(guī)格也將支持LPDDR6。
英偉達(dá)CEO黃仁勛此前在臺(tái)北電腦展參觀SK海力士展臺(tái)時(shí)，曾在HBM4E晶圓上留言“請(qǐng)多生產(chǎn)一些”，同時(shí)也在SOCAMM模組上留下“Love SOCAMM”的評(píng)價(jià)，側(cè)面體現(xiàn)出對(duì)兩類AI存儲(chǔ)方案的重視。
從行業(yè)大背景來看，移動(dòng)DRAM市場(chǎng)目前仍由三星和SK海力士雙寡頭主導(dǎo)，但國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的市場(chǎng)份額已逼近美光，開始在中低端機(jī)型中實(shí)現(xiàn)大規(guī)模國(guó)產(chǎn)化替代。
