集成電路布圖設計保護條例25年來首次大修引入懲罰性賠償；臺積電3nm提前達標2nm沖刺月產10萬片；DDR4均價24美元創歷史新高 | 新聞速遞

TechSugar 2026-08-04 08:26

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每日頭條芯聞

國務院公布修訂后《集成電路布圖設計保護條例》，25年來首次大修引入懲罰性賠償，10月15日施行
臺積電3nm月產18萬片目標提前至四季度初達成、2nm年底沖刺10萬片，1.4nm新廠有望2028年中量產
存儲芯片7月均價再刷歷史新高：DDR4 8Gb合約價升至24美元，128Gb MLC NAND首破30美元
TrendForce：全球九大CSP資本支出突破8867億美元同比增90%，AI服務器出貨年增幅上調至近31%
中微公司上半年歸母凈利潤預增282%-311%，五年內高端設備覆蓋率目標60%、產能規模突破700億元
聯發科確認導入英特爾EMIB-T先進封裝，第二款AI ASIC有望2028年量產，董事會批準50億美元資金
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1 【國務院公布修訂后《集成電路布圖設計保護條例》，25年來首次大修引入懲罰性賠償，10月15日施行】

8月3日，新華社受權發布，國務院總理李強日前簽署第842號國務院令，公布修訂后的《集成電路布圖設計保護條例》（以下簡稱《條例》），自2026年10月15日起施行。現行條例于2001年公布施行，至今已25年，此次為首次全面修訂。《條例》共6章54條，8月4日全文刊載于《人民日報》頭版。

修訂主要涵蓋四大方面。一是明確總體要求，規定集成電路布圖設計保護工作應當貫徹黨和國家知識產權戰略部署，擴展保護范圍，強調誠實信用。二是完善申請、審查程序，規制虛假申請，細化材料要求，增加獨創性聲明制度——申請人須提交獨創性聲明并指明具有獨創性的設計區域、設計要點及相應功能，完善駁回與撤銷程序，新增權利恢復程序。三是加強專有權保護，明確權利范圍界定標準，加大侵權賠償力度：侵權賠償額按照權利人實際損失或侵權人獲利確定，難以確定的參照許可使用費倍數合理確定，情節嚴重的適用懲罰性賠償，可在上述方法確定數額的1倍以上5倍以下確定賠償數額。四是促進布圖設計運用，加強公共服務，明確獎酬措施，完善轉讓、許可、出質要求，規范共有人權利行使。

同日，國家知識產權局同步發布《集成電路布圖設計保護條例實施細則修改草案（征求意見稿）》及《集成電路布圖設計審查與執法指南修改草案（征求意見稿）》，向社會公開征求意見，截止日期為2026年9月3日。實施細則征求意見稿涵蓋登記申請流程優化、復審撤銷制度完善、專有權保護加強三大板塊，審查與執法指南則對登記審查標準、復審撤銷程序等作出系統細化。司法部、國家知識產權局負責人在答記者問中表示，此次修訂聚焦當前突出問題，將實踐中行之有效的做法上升為行政法規，并與有關法律法規、國際條約做好銜接。值得注意的是，《條例》第五十三條增設對等反制條款：任何國家或地區在集成電路布圖設計保護方面對中華人民共和國采取歧視性措施的，中方可采取相應措施。

2 【臺積電3nm月產18萬片目標提前至四季度初達成、2nm年底沖刺10萬片，1.4nm新廠有望2028年中量產】

8月3日，據中國臺灣《經濟日報》及TrendForce報道，在英偉達、AMD、博通等大客戶持續追單推動下，臺積電3nm制程原定于2026年底實現的月投片量18萬片目標，有望提前至第四季度初達成，較原計劃提前兩至三個月。消息人士稱，3nm制程在2026年上半年月投片量已接近15萬片，客戶需求遠超預期。為滿足產能缺口，臺積電已宣布新增三座3nm晶圓廠，分別位于中國臺灣、美國亞利桑那州和日本，同時在中國臺灣將部分5nm設備轉換至3nm以支援產能建設。

2nm制程同樣加速沖刺。供應鏈透露，臺積電2nm上半年月投片量已達5萬至6萬片，預計Q4初將超過8萬片，年底有望逼近10萬片。臺積電資深副總經理侯永清在北美技術論壇上表示，2026年將有五座2nm廠同時放量，包括新竹兩座、高雄三座。2nm第一年晶圓產出較2023年3nm第一年增加45%，2026年至2028年2nm產能年復合增長率將達70%。綜合計算，Q4初臺積電2nm和3nm月投片量合計將超過26萬片，成為今年營收持續沖高的核心引擎。

更值得關注的是下一代1.4nm制程的進度。TrendForce援引《工商時報》報道，臺積電位于中科二期園區的1.4nm新廠建設進度超前，第一座廠房預計2027年4月前完工。該廠區規劃建設四座廠房，前兩座已完成發包，已進入鋼構施工階段。供應鏈評估，若建廠進度持續，最快2027年第三季初可進入試產，2028年中正式量產。1.4nm制程代號A14，采用第二代GAA納米片晶體管，晶體管密度比2nm提高20%至23%，在相同功耗下性能提升10%至15%，在相同性能下功耗降低25%至30%。

3 【存儲芯片7月均價再刷歷史新高：DDR4 8Gb合約價升至24美元，128Gb MLC NAND首破30美元】

8月3日，據韓聯社援引TrendForce旗下DRAMeXchange最新數據，PC用基準DDR4 8Gb DRAM 7月平均固定合約價升至24美元，環比上漲14.3%，創2016年6月有統計以來歷史新高，對比監測初期2.9美元，累計漲幅超過8倍。與此同時，128Gb MLC NAND閃存7月平均合約價升至30.05美元，環比上漲4.3%，首次突破30美元大關，實現連續19個月漲價。部分庫存偏低的SLC NAND產品7月均價環比暴漲35%至51%，供需最為緊張。

從累計漲幅來看，2026年1至7月通用型DRAM合約價累計漲幅超340%，NAND Flash合約價累計漲幅超320%。AI服務器及HBM需求持續擠占傳統存儲產能是漲價的核心原因。集邦咨詢數據顯示，三大存儲巨頭將八成以上先進制程新增產能轉向HBM和服務器DRAM，消費級DRAM產能持續收縮。集邦咨詢預測，Q3 DRAM合約價將環比上漲13%至18%，NAND漲幅約10%至15%，漲幅因消費電子客戶對價格承受力已達極限而收斂。但DRAM供應緊張預計至少持續至2027年，而NAND隨著新增產能投放，2027下半年供應有望逐步改善。

需求端方面，AI數據中心對高容量企業級SSD的需求呈爆炸性增長，數據中心應用預估將占全球NAND消耗量的60%至70%。Meta、微軟、Google等超大規模云端業者已通過長約與預付款方式提前鎖定2026年絕大部分可用產能，部分合約甚至延伸至2029年。供給端需求年增率達20%至22%，產能擴張卻僅有15%至17%，新產能大規模釋出普遍要延后至2027至2028年之后。鎧俠已公開表示2026全年產能已基本售罄。與此同時，消費電子承受力正逼近極限：OPPO、vivo在Q3已拒絕三星的漲價報價，IDC數據顯示Q2中國智能手機出貨量同比下滑4.3%，Counterpoint Research更將2026年全球出貨量預期下調至約10.8億部，同比降幅擴大至13.9%，創2013年以來新低。

4 【TrendForce：全球九大CSP資本支出突破8867億美元同比增90%，AI服務器出貨年增幅上調至近31%】

8月3日，集邦咨詢（TrendForce）發布最新AI服務器產業研究報告，全面上修2026年全球云服務商AI基礎設施投資預測。研究顯示，2026年全球九大云端服務供應商（Google、Amazon、Meta、Microsoft、Oracle，以及字節跳動、騰訊、阿里巴巴、百度）總資本支出預估將突破8867億美元，約合5.99萬億元人民幣，同比增長約90%。其中北美五大業者合計占比近90%，各家資本支出多實現翻倍提升。

TrendForce同步將2026年全球AI服務器出貨量年增幅從原先的28%上調至近31%，主要驅動因素包括：超大型CSP對英偉達GB/VR等整柜式AI服務器方案的采購意愿明顯提高；Google與AWS新一代ASIC平臺于2026年下半年陸續放量；中系業者擴大采用本土AI方案以滿足云端大語言模型需求。展望2027年，TrendForce預計九大CSP總資本支出將在2026年高基數基礎上進一步增長49%，規模達1.32萬億美元，約合8.92萬億元人民幣，增速收斂主要受高基數因素影響，并非AI投資趨緩。

在美系業者芯片布局方面，TrendForce預估Google 2026至2027年將持續側重自家TPU芯片發展，2027年出貨量有望繼續高速成長；AWS 2026年以英偉達GB300為主力GPU方案，自研ASIC穩定出貨，至2027年產能再擴大；Meta主要采用英偉達GB/VR及AMD Helios方案，自研ASIC預計至2027年明顯加速。中系CSP方面，字節跳動投入力度最大，主要用于大規模AI數據中心、自研ASIC和GPU集群建設。證券時報分析指出，當前AI算力投資已從"全面緊缺"轉向"結構性緊缺"，投資方向從以GPU擴張為主，轉為覆蓋AI服務器、液冷散熱、先進封裝、高速互連、電源和存儲器等領域的基礎設施全面升級。

5 【中微公司上半年歸母凈利潤預增282%-311%，五年內高端設備覆蓋率目標60%、產能規模突破700億元】

8月3日，中微公司（688012.SH）披露2026年半年度業績預告，預計上半年歸母凈利潤27億至29億元，同比增長282.48%至310.81%。業績增長主要得益于當期營業收入同比增長約34.89%，以及對外股權投資產生公允價值變動收益和投資收益合計約19.82億元。2026年上半年公司研發投入約20.42億元，同比增長約36.89%，研發投入占營收比例達30.52%。

數據背后是國產半導體設備的加速突破。中微公司已開發出54種高端半導體設備，包括26種高能和低能等離子體刻蝕機設備，24種各類薄膜設備、化學機械拋光設備和量檢測設備，刻蝕和薄膜設備的加工精度已達原子級水平。截至2026年6月底，公司累計已有超過8800個反應臺在國內外220余條生產線實現量產。

董事長尹志堯對外披露更宏大的五年規劃：公司布局五大研發生產基地，現有建筑面積60萬平方米，預計未來五年擴至90萬平方米，遠期產能規模突破700億元。公司目標五年內高端半導體設備覆蓋率達到60%，力爭2035年躋身全球半導體設備第一梯隊。華虹宏力董事長白鵬現場表態，華虹將持續深化與中微上下游協同合作，推進聯合研發，加快國產半導體設備產線驗證與規模化落地。值得注意的是，中微公司股價當日隨板塊回調跌近10%，收報309.85元/股，但基本面持續向好的趨勢未變。

6 【聯發科確認導入英特爾EMIB-T先進封裝，第二款AI ASIC有望2028年量產，董事會批準50億美元資金】

8月3日，據IT之家、鈦媒體報道，聯發科在上月末的企業2026年Q2財報電話會議上釋放多項關鍵信號。聯發科首度明確表示，在AI ASIC專案中，除采用臺積電CoWoS封裝外，也同步導入英特爾EMIB-T先進封裝技術，代表公司封裝策略朝向多元化發展，以應對不同客戶的大型AI芯片設計需求。聯發科代表對分析師"EMIB正朝2028年量產的目標穩步推進"的看法表示了肯定。

ASIC產品線方面，聯發科首款AI ASIC加速器預計2026年Q2進入量產階段；第二款產品開發進展順利，有望2028年啟動初步生產并在同年內量產。聯發科還提到其448G SerDes高速I/O IP開發順利，繼續在臺積電COUPE平臺上開發CPO光互聯系統解決方案，亦提供端到端的3.5D立體堆疊高階芯片平臺。

為保障供應鏈容量并推動企業從AI ASIC芯片向全規模系統和平臺的戰略擴展，聯發科董事會已批準50億美元（現匯率約合337.99億元人民幣）的自由裁量資金，為業務開展提供額外靈活性。這一舉措與當前全球AI ASIC市場爆發式增長吻合——Google TPU、AWS Trainium等自研芯片加速迭代，博通、Marvell等ASIC設計服務商的AI相關收入持續攀升，聯發科正加速切入這一利潤豐厚的藍海賽道。

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