8月6日，中國臺灣存儲芯片廠商華邦電子舉行了2026年第二季度投資者說明會。得益于人工智能推動的存儲芯片需求和價格上漲，華邦電子第二季業績大漲，整個上半年業績更是創下近年來新高。華邦電子對2026年下半年DRAM和Flash市場的增長勢頭持樂觀態度，產能利用率預計保持在約100%左右，利潤也將逐季增長。華邦電子總經理陳培明直言，2027年市場將比2026年更加緊缺。
Q2凈利同比暴漲25,629%
華邦電子第二季度營收達到598.43億新臺幣，環比增長56.4%，同比增長184.7%；營業毛利率為66.2%，環比增長13個百分點；歸屬母公司業主凈利潤為243.17億新臺幣，同比暴增25,629%，環比增長140.4%，創下歷史單季新高。每股收益為5.40新臺幣，環比大漲140.4%。
2026年上半年累計營收達980.96億新臺幣，同比增長約139.2%；累計凈利潤達344.35億新臺幣，較去年同期的約22億新臺幣同比暴增約1,465.2%；累計每股收益為7.65新臺幣，已大幅超越2025年全年的0.88新臺幣，創近年來最佳表現。
從具體的業務表現來看，華邦電子第二季度CMS（低功率DRAM）業務，受益于產品價格上漲，整體營收大增78%。雖然為了優先保障特定策略客戶的供應，華邦電子主動減少了部分出貨，使出貨位元數量減少了約10%，但因平均售價大漲超過100%，帶動了該業務營收大漲。
在Flash業務方面，華邦電子第二季度營收同比大漲65%，出貨位元數量更是暴增156%，這主要是受到NOR Flash 出貨大幅增長所帶動。
華邦電子指出，其營收大漲的關鍵在于AI服務器需求的爆發。目前 AI 服務器對高密度NOR Flash 的需求極其龐大，單臺新架構服務器所需要的NOR Flash 數量就高達500 到600 顆，且多為512Mb、1Gb 甚至2Gb 等高容量、高單價產品。
在SLC NAND 方面，華邦電子也在持續深耕，并加速向24nm制程轉進，預期2026年底將會有更多產出，未來也將持續開發更先進的制程技術。目前華邦電依然穩居全球NOR Flash 領先地位，將持續維持此一關鍵業務的收入。
從各產品應用領域的營收來看，華邦電子第二季度通訊應用營收環比大漲82%，在華邦電子整體的營收當中的占比拉高了2個百分點至29%。這項增長涵蓋范圍極廣，包括家用Wi-Fi 設備，以及服務器上的交換機應用等；電腦相關應用營收環比大漲89%，在總營收當中的占比提升2個百分點至15%；車用與工業用環比增長約23%，在總營收中占比28%；消費類電子營收環比增長約18%，在總營收中占比28%。
第三季存儲芯片價格將繼續上漲
對于2026年第三季DRAM和Flash等存儲芯片市場的價格走勢，陳沛銘預期，雖然第三季平均售價的漲幅不會像第二季度暴漲一倍那樣夸張，但價格依然維持往上的趨勢，整體營運狀況與出貨動能將延續第二季以來的強勁態勢。
針對華邦電子的存儲產品價格是否會再次上漲的問題， 陳培明笑著說，上次有人跟我開玩笑時說：“跟著漲價走——再漲一點，再漲一點，再漲一點......” ，“所以，我基本上只是觀察市場，我們很難談論這個問題。”
陳培明解釋稱：“因為我們的（Nor Flash）市場份額太大，不管漲不漲都不對。所以我們更謹慎，盡量不漲價過多，也不帶頭漲價。如果我們行業內的一些人急于離開Nor Flash市場，轉向NAND 或其他eMMC產品，價格可能會大幅上漲，我們知道。”
“所以我們的客戶會來找我們，說‘嘿，你們真的不打算漲價嗎？你想再漲點價格嗎？ 否則，你會因為價格太低就拒絕交貨嗎？’我們經常遇到這種情況。”所以我們說，“好吧好吧，我再加一點。”
陳培明強調：“在Nor Flash市場，因為我們扮演著領導角色，我們非常重視市場份額，我不希望Nor Flash價格過于激進地推動。” 至于DRAM價格，它會跟隨市場上漲。
2027年存儲芯片將更緊缺，客戶要簽2030年采購協議
針對中長期的存儲市場展望，陳沛銘直言，“2027 年會比2026 年還要缺”。這項判斷的核心關鍵在于“產能真空期”。
陳沛銘解釋，在華邦電子現有的工廠設備與產能裝設完畢后，未來將有長達兩年的時間面臨“沒有額外產能”的限制。在這段產能真空期中，華邦電子只能不斷通過先進制程轉進來改善效率并微幅增加產出。
由于預期產能將極度受限，市場上已經出現恐慌性的備貨心態。陳沛銘透露，許多客戶非常焦慮，不斷催促華邦電子，除了現有的2028年合約外，甚至要求提前簽訂2029年以后、甚至是包含2030年的長期供貨協議（LTA）。除了AI 應用不可或缺的高帶寬內存（HBM） 外，DDR5、DDR6 等通用DRAM需求也同樣極度熱烈，客戶為了確保產能甚至不惜支付更高價格。
高雄MB新廠將導入EUV制程
為了應對中長期DRAM芯片供不應求的局面，華邦電子正全力推動高雄廠的擴產。目前高雄廠月產能為1.5萬片，預計在2026年底將月產能提升至2.4萬片。屆時高雄廠將有四分之三的產出，并將大量導入16nm制程，全面取代舊的2D 與20nm、25nm制程，產品涵蓋DDR4、LPDDR4等利基型DRAM，這將為華邦電子帶來更大的爆發性成長。
在NAND和NOR Flash產能方面主要集中在臺中廠，高雄廠也會有部分NAND Flash產出，但其優先級和規模均排在DRAM之后。華邦電子規劃從2025年的每月4萬片，一路擴增至2027年1月的每月5萬片。
華邦電子整體晶圓產能預計增加20%，但得益于技術推進，位元產出量（Bit Growth）將大幅增加超過40%，甚至逼近50%。
此外，華邦電子董事會已正式通過了高雄全新的生產DRAM的“MB”新廠興建計劃，預計于2027 年1 月正式動工，并在2029 年1 月開始裝設機臺，預計于2029 年中開始一邊裝機一邊開放產能，并于2029 年底開始量產，產出將主要反映在2030 年。
據了解，MB 新廠的潔凈室面積約為3萬平方公尺，是現有高雄廠（1.55萬平方公尺） 的僅兩倍大，機臺裝滿后總的月產能可達5萬至6萬片。制程方面，該廠將引進下一代的14nm以及未來的12nm制程。不過，陳沛銘指出，預計擴產的金額龐大，現階段資本支出金額還沒有確定。
需要指出的是，MB 新廠還將引入EUV設備，但由于EUV 設備交期長達三年到三年半，而一般機臺交期僅需12到14 個月，因此MB廠將分為兩階段進行。第一階段開發生產不需EUV 的14nm DRAM制程，第二階段才會正式裝設EUV 設備，為未來的12nm DRAM制程做足準備。
2027年Cube相關業務營收占比將達5%至10%
除了傳統的存儲芯片布局之外，華邦電子在硅電容(Cube) 的方面也在持續投入。隨著AI 技術發展，如英偉達新一代Robin/Blackwell 晶片架構對電源管理提出了更精確的要求，其設計將電壓先拉高至DC800V，再逐步降壓至1.2V 或0.9V。在如此微小的電壓與高速運行下，傳統的MLCC 在尺寸、厚度及溫度穩定性上已無法滿足需求，因而誕生了對微型Cube 的龐大需求。此外，包含CoWoS 先進封裝及基板上，也需要埋入額外的電容來維持信號品質。
陳沛銘看好Cube 技術的獨特價值與前景，并設定目標在2027 年時，讓硅電容在內的Cube相關業務營收占比達到整體營收的5% 至10%，這將成為華邦電子在2027 年應對存儲芯片大缺貨時，最為關鍵的技術護城河與全新增長動能。
編輯：芯智訊-浪客劍
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