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2026年春天,一片2英寸磷化銦襯底的現貨價格漲到2300美元以上,急單突破3000美元,而一年前它的標價是800美元。
同一時期,英偉達宣布從2027年起把數據中心供電切換到800V直流架構,順手把幾家氮化鎵廠商拉進了自己的供應商聯盟。
這些名字拗口的材料,正在走向舞臺中央,而劇本的邏輯值得細讀。

算力的約束從晶體管轉向電、光、熱
過去半個世紀,半導體行業的敘事權屬于光刻機和晶體管密度。
誰把線寬做得更小,誰就定義時代。但這套敘事在AI時代出現了裂縫。
裂縫首先出現在功耗上,英偉達的主力芯片,熱設計功耗從A100的400W一路攀升到GB300的1400W,單機柜功率正在從千瓦級邁向兆瓦級。
電送不進去、送進去轉化效率低,再強的算力也是燙手的擺設。傳統交流供電架構的端到端轉換效率只有84.5%至87.6%,而800V高壓直流架構可以做到90%以上。
這4個百分點的差距,攤到一個吉瓦級園區的電費賬單上,就是材料廠商的入場券。
裂縫也出現在芯片之間,大模型訓練本質上是成千上萬顆芯片協同解一道題,芯片間的數據搬運量呈指數膨脹,電互連撞上了物理墻,光互連被迫頂上。
800G光模塊普及、1.6T上量、CPO共封裝光學落地,每一步都在消耗更多的化合物半導體襯底。
與此同時,封裝基板要承載的芯片面積越來越大、布線越來越密,有機材料逼近翹曲與加工精度的極限;單芯片功耗破千瓦之后,散熱從工程細節變成系統級難題。
供電、互連、封裝、散熱,這四件事有一個共同點:它們的主角都不是硅。
氮化鎵和碳化硅管電,磷化銦管光,玻璃基板管封裝,人造金剛石管熱。
五種材料同時被推到臺前,是同一個原因:算力競爭的勝負手,從芯片本身擴散到了芯片賴以運轉的整個物理環境。

碳化硅:關鍵材料不等于好生意
三年前,碳化硅還是資本市場上最性感的材料故事,電動車800V平臺、快充網絡、光伏逆變器,每個終端都在高速增長。故事沒錯,錯在供給的響應速度。
2025年全球碳化硅襯底規劃產能約400萬片/年,下游實際需求約250萬片,理論供給接近需求的2倍。2025年第一季度,6英寸襯底均價同比下跌40%,從年初的4000至4500元/片跌到2500至2800元/片,逼近部分廠商的成本線。
曾經的全球龍頭Wolfspeed在2025年走進破產保護,這家市值一度165億美元的公司,倒在了一場它參與發動的擴產競賽里。國內的天岳先進、天科合達同樣陷入虧損。
2026年年中,風向變了:意法半導體自6月28日起對碳化硅等器件補漲,英飛凌年內第二輪漲價7月1日生效,車規級及高壓模塊漲幅超過15%。
普漲之下是劇烈的分化,6英寸中低端產品血流成河,8英寸襯底和車規級器件卻始終供不應求。
中國企業在襯底環節的全球份額已超過50%,安森美這樣的老牌IDM干脆收縮自產晶圓,轉向外購中國襯底,把資源集中到后段器件。
稀缺性從來不附著在材料的化學式上,而附著在大尺寸良率、車規認證和客戶綁定這些具體的門檻上。
材料可以一夜之間從卡脖子變成白菜,也可以在同一張報價單上,讓8英寸和6英寸活成兩個世界。

氮化鎵:拿到800V門票考驗在需求之外
英偉達正在把數據中心供電從54V推向800V直流,新一代平臺自2026年起陸續導入。
這條供電主路里,碳化硅負責600V以上的中高壓干線,氮化鎵則憑借開關速度接管機柜內部100V到700V的高頻末端,兩者各管一段。
氮化鎵的放量速度已經超出了多數人的預期,英諾賽科的GaN功率器件累計出貨量突破20億顆,2019年這個數字還不到500萬,2024年剛過12億。
2026年2月,谷歌數據中心開始向英諾賽科批量采購,英偉達800V高壓直流電源聯盟里,它成為唯一入選的中國供應商,為Kyber機架提供全鏈路電源方案。
國際廠商同樣在押注,英飛凌加入英偉達MGX生態做800V轉換,Navitas在COMPUTEX 2026上展示了800V到6V的電源板。
機構預測2028年全球氮化鎵器件市場將攀升至501.42億元,對應2019至2028年92.3%的復合增速。
結構切換才剛剛開始,數據中心那點可憐的占比,恰恰是想象力的來源。

磷化銦:缺口、杠桿與遷移中的定價權
磷化銦大概是當前整個AI硬件鏈條里供需最扭曲的環節。
它是1310nm和1550nm通信波段激光器唯一成熟的襯底材料,沒有替代方案。800G光模塊需要4至8顆磷化銦激光器芯片,1.6T模塊的襯底消耗量是800G的2.7至3倍。
需求曲線因此呈現罕見的超線性:光模塊出貨量在漲,單模塊的材料用量漲得更快。
英偉達預測2026年至2030年全球磷化銦晶圓需求將增長約20倍,Lumentum給出的AI數據中心磷化銦光通道出貨量年復合增速預測是85%。
供給端卻是一道算術難題,2025年全球磷化銦襯底總需求約200萬至210萬片(折合2英寸),有效合規產能只有60萬至70萬片,缺口接近70%。
Yole判斷這一缺口至少持續到2028年,產能集中在住友電工、AXT、JX金屬三家手里,合計份額超過90%,而晶體生長良率爬坡需要3至5年,客戶認證還要再花2年。
錢可以立刻到賬,產能不行,漲價于是順理成章。
除了2英寸襯底從800美元漲到2300至2500美元,6英寸高端產品從1400美元沖到5000美元,下游外延片、光芯片逐級跟漲,1.6T配套激光器的交付周期拉長到50周。
下游廠商提前一年鎖單、預付三五成定金,議價權徹底倒向上游。
中國掌握全球約70%的銦產量,卻在襯底加工環節長期缺席,6英寸產品國產化率不足5%。
云南鍺業旗下的云南鑫耀是A股少數能量產6英寸磷化銦襯底的公司,華為哈勃早在2020年就已入股。
資源在手、加工在人,這種錯位本身就是國產化窗口的注腳,缺口越持久,認證壁壘被需求沖開的速度就越快。

玻璃基板:架構切換前夜的卡位賽
玻璃基板的時間表則要靠后一些,英特爾2023年9月率先發布玻璃基板封裝技術,投入10億美元在亞利桑那州建研發產線;SKC與應用材料合資的Absolics在佐治亞州建廠,2026年下半年向AMD小批量送樣;三星電機計劃2027年下半年量產;臺積電的CoPoS試產線已經搭建。
SEMI在2026年5月給出的判斷相當克制:玻璃芯載板大約2028年前后先在少量高性能應用中量產,此后逐步擴展,2028年至2040年市場復合增速預計67.2%。
換句話說,2026至2028年是送樣、認證和建試產線的階段,先賺到錢的未必是基板廠,而是TGV鉆孔、激光加工、電鍍與檢測設備這些賣鏟子的人。
卡位賽的殘酷之處在于,先發者要替整個行業支付教育市場的成本。
AMD、谷歌、AWS這些自研芯片廠商愿意試用玻璃基板,是因為它們需要差異化手段追趕英偉達;而英偉達自己的CoWoS產能夠用,反而不著急。
需求最迫切的一方與供給最積極的一方,并不總是同一邊。

人造鉆石:珠寶崩塌與散熱起身
五種材料里,人造鉆石的處境最富戲劇性,它在同一個屋檐下同時經歷著過剩與短缺。
過剩的是珠寶,2024年中國培育鉆石產量約2200萬克拉,同比增長144%,占全球總產量的63%,其中八成產能集中在河南。
產能傾瀉之下,1克拉高品質培育鉆石的零售價從2020年的約8000元跌到如今的3500元左右,僅為天然鉆石的十分之一。
短缺的是功能級金剛石,金剛石的熱導率約為銅的5倍,是已知材料里散熱性能的天花板,而千瓦級功耗的AI芯片正需要這樣的熱沉材料。
2026年2月,美國Akash Systems向印度交付了全球首批搭載金剛石冷卻技術的英偉達H200服務器,金剛石散熱正式從實驗室走向商用。
國內的現實是,半導體級金剛石熱沉片良率不足50%,仍以試樣研發為主,規?;唵紊形闯霈F。
同一批河南壓機,一邊把寶石級產品打成白菜價,一邊在電子級產品門口排隊攻關。
決定價值的不是材料本身,而是它所處的純度、尺寸與可靠性區間。

結尾:
電、光、熱、封裝,四個約束把五種材料從配角寫進了主劇本。但關鍵與稀缺之間隔著良率、認證和產能紀律。
AI的資本開支還會向下游傳導很多年,材料上桌了,誰能留在牌桌上,是另一場考試。
部分資料參考:電子工程專輯:《面向數據中心的光電共封裝技術與市場-2026版》,Supplyframe四方維:《碳化硅,又行了?》,雪球:《磷化銦:高端襯底 國產替代》,36氪:《玻璃基板產業化進展到哪了?》
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