隨著5G-Advanced技術的推進，新頻譜（如n104頻段）的啟用成為關鍵特征，而中國將成為6G技術廣泛采用的前沿陣地。
射頻前端（RFFE）市場正經歷穩步增長，在2024至2030年間，移動和消費電子領域仍是最大市場。據Yole發布的《2025年射頻行業現狀報告》顯示，RFFE市場規模預計將從2025年的513億美元增長至2030年的697億美元，復合年增長率（CAGR）達4.5%。
其他諸如電信與基礎設施、汽車、工業與醫療等領域也呈現出不同程度的增長潛力。其中，電信與基礎設施領域的RFFE市場預計到2030年可達45億美元，汽車領域為40億美元，工業與醫療領域接近20億美元，這些數據均顯示出了RFFE市場的廣闊前景。
“隨著5G-Advanced技術的推進，新頻譜（如n104頻段）的啟用成為關鍵特征，而中國將成為6G技術廣泛采用的前沿陣地。”——在9月26日上海浦東香格里拉大酒店舉辦的國際RF-SOI論壇上，武漢新芯集成電路股份有限公司（以下簡稱“新芯股份”）市場總監郭曉超在題為《用射頻SOI增強下一代通信：新芯股份的專注與愿景》的演講中，深入剖析了RFFE市場的發展趨勢，并展示了新芯股份在該領域的技術突破與未來規劃。
武漢新芯集成電路股份有限公司市場總監郭曉超
技術迭代加速，新芯股份引領射頻SOI創新
隨著5G-Advanced技術的推進，啟用新頻段成為其關鍵特征之一。郭曉超引用數據預測，到2030年，全球手機出貨量將大幅增長，其中支持6G技術的手機將逐步擴大市場份額，而中國有望成為6G技術普及的前沿陣地。
面對市場的快速增長，新芯股份憑借其領先的射頻SOI（RF-SOI）技術，不斷推動產品迭代與創新。
郭曉超介紹，新芯股份的RF-SOI技術覆蓋了從低端到高端射頻前端分立及模組的全系列產品，具有超低的功耗指標（FoM）、優異的諧波性能、極低的噪聲系數（Nfmin）和超高的增益。
具體而言，新芯股份的RF-SOI技術節點已涵蓋55nm及以下多個制程，支持從接收開關（Rx Switch）、發射開關（Tx Switch）到低噪聲放大器（LNA）、調諧器（Tuner）以及Wi-Fi前端模塊（FEM）等分立器件到集成模組廣泛的應用場景。
特別是其12英寸RF-SOI晶圓技術，在國內處于領先地位，為市場提供了高性能、低功耗的射頻解決方案。
3D RFFE革命，推動芯片小型化與集成化
RFFE集成的簡化是行業發展的重要方向。從2014年到2028年的技術演進路線圖來看，RF-SOI技術經歷了多個階段的發展，從分立Phase5N到如今的Phase8L集成方案，再到未來的PhaseX演進等不同階段，每個階段都面臨著成本、尺寸、功耗、性能等多方面的挑戰。
在演講中，郭曉超還重點介紹了新芯股份在3D射頻前端（3D RFFE）領域的革命性進展。她指出，隨著芯片尺寸的減小和CMOS工藝的進步，3D RFFE技術成為實現射頻前端模塊小型化、低功耗和高性能的關鍵。
多MIMO堆疊、異構RFFE集成、PA+Filter+SOI的多通道重復集成、相控陣擴展等都是3D RFFE未來的發展趨勢。新芯股份的3D RFFE解決方案通過垂直堆疊芯片和PCB板，實現了更小的封裝尺寸和更大的CMOS面積，從而降低了功耗并延長了電池壽命。
郭曉超以iPhone系列為例，展示了3D RFFE技術如何幫助實現設備的小型化和輕量化。
此外，新芯股份還積極探索異構射頻前端集成（Heterogeneous RFFE Integration），通過將功率放大器（PA）、濾波器和SOI開關等組件集成在同一芯片上，進一步減小了芯片尺寸并提高了系統性能。
持續創新，引領3D集成浪潮
郭曉超強調了新芯股份在技術創新方面的持續投入和領先地位。她指出，新芯股份擁有近20年的12英寸晶圓代工經驗，確保了穩定的制造能力和及時的交付能力。同時，公司還積極拓展產能計劃，以滿足市場不斷增長的需求。
特別是在3D集成技術方面，新芯股份的3DLink平臺通過混合鍵合（Hybrid Bonding）技術實現了晶圓到晶圓或芯片到晶圓的垂直堆疊，顯著提高了帶寬并降低了延遲和功耗。
郭曉超表示，新芯股份結合自身3D優勢，將為SOI領域提供強有力的支持，推動行業向更高性能、更高維度的方向發展。
踐行ESG理念，推動可持續發展
除了技術創新外，郭曉超還介紹了新芯股份在環境、社會和治理（ESG）方面的實踐。據介紹，新芯股份擁有15年以上的12英寸CMOS生產經驗，10年以上的3D技術經驗，并且其RF-SOI生產良率高達99%，W2W混合鍵合良率達到99.99%。
她表示，公司致力于通過污染預防、資源優化和綠色制造等措施減少環境影響；同時積極履行社會責任，為員工提供安全健康的工作環境并與合作伙伴共享可持續發展成果。
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