長江存儲深夜辟謠“核心專利全部無效”！

7月29日晚，長江存儲發布聲明，對近期在網絡上流傳的關于公司專利訴訟及資本市場的虛假信息作出正面回應。

聲明指出，網傳“美國專利商標局于7月28日裁定長江存儲核心3D NAND專利全部19項權利要求無效”等信息屬于“嚴重誤導性描述”，同時澄清“長存相關概念股全線暴跌”系基于誤導信息所作的惡意編造。

2023年11月9日，長江存儲在美國加利福尼亞州北區聯邦地方法院提起訴訟，指控美光科技及全資子公司美光消費產品集團有限責任公司侵犯其8項美國專利。涉案專利包括US10950623（3D NAND存儲器件及其形成方法）、US11501822（非易失性存儲裝置及控制方法）、US11600342（三維閃存的讀取方法）等，均為長江存儲圍繞自主Xtacking架構構建的核心專利組合。被控侵權產品覆蓋美光的96層、128層、176層和232層3D NAND產品。

長江存儲在起訴書中稱，美光使用長江存儲的專利技術，以抵御來自長江存儲在NAND領域的競爭，并獲得和保護市場份額；美光未就使用上述專利支付合理費用，侵犯了長江存儲的利益。TechInsights在2023年11月的分析中指出，長江存儲已是3D NAND閃存領域的領導者，超過了美光。

此后，雙方在多法域展開連環訴訟。2024年6月，長江存儲起訴受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult散布虛假信息；2024年7月，長江存儲再度在加州北區對美光提起訴訟，指控其侵犯11項專利，涉及3D NAND的各個方面，并請求法院下令要求美光停止在美國銷售其閃存。

據長江存儲2026年7月29日聲明披露的最新數據，自2023年11月以來，長江存儲在美起訴美光累計涉及27項專利、295項專利權利主張。

與此同時，美光也多次對長江存儲發起專利無效挑戰。2025年4月，美國專利商標局曾駁回美光針對長江存儲的一份專利無效上訴；但在2026年1月，該局又駁回了長江存儲發起的2份針對美光的專利無效請求，理由是長存未能明確其中涉及的“真實利害關系人（RPI）”身份。

半導體領域的專利訴訟具有周期長、程序復雜、交叉授權頻繁的特點。多方復審（IPR）等專利無效挑戰程序，通常需要經歷立案審查、證據交換、口審、裁定等多個環節，耗時數月乃至數年。

長江存儲已于2026年5月19日在證監會官網披露《關于長江存儲控股股份有限公司首次公開發行股票并上市輔導備案報告》，完成股份制改革并啟動IPO輔導，注冊資本達178.2億元。作為國內最大的3D NAND Flash廠商，長江存儲的IPO進程備受資本市場關注，相關概念股群體龐大。在這一敏感窗口期，虛假專利信息的傳播，極易引發不必要的市場波動。

依托自主研發的Xtacking架構，長江存儲用幾年時間實現3D NAND閃存技術關鍵突破，2022年成為全球首家成功量產232層3D NAND產品的企業。目前，長江存儲擁有超過10274件專利，其中在美國的發明專利申請1657件、獲得發明授權613件。

據悉，三星計劃量產的第10代 V10 NAND（層數達420至430層）必須改用混合鍵合技術。經過嚴密評估，三星發現其后續的V10、V11、V12研發在工藝上完全無法繞開長江存儲的專利網，為了規避高昂的法律訴訟風險，最終選擇主動付費獲取授權。

2025年2月，韓國科技媒體ZDNet Korea爆料稱，全球最大的存儲芯片制造商三星電子（Samsung Electronics）已正式與中國長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND“混合鍵合”技術的專利許可協議。

長江存儲還在聲明中寫道：“公司始終堅持自主創新，依法合規經營，高度重視知識產權布局與保護。”