中微公司臨港總部大樓落成，尹志堯提出未來五年覆蓋60%半導體高端設備

8月1日，半導體設備龍頭中微公司在上海臨港舉行總部大樓落成典禮暨公司成立22周年慶典，標志著其在臨港的研發與生產一體化布局正式成型。公司董事長兼總經理尹志堯在慶典上提出雄心勃勃的戰略目標：未來五年內至少覆蓋60%的半導體高端設備，成為全球覆蓋率最高的半導體設備公司；到2035年，在規模、產品競爭力和客戶滿意度上躋身全球第一梯隊。

尹志堯博士致辭（圖自：中微公司公眾號，下同）

五大研發生產基地，8800多個反應臺

中微公司目前已在上海臨港、金橋、南昌以及在建的成都、廣州等五個地區建立了研發與生產基地。當前整體建筑面積達60萬平方米，預計未來五年左右將擴展至90萬平方米，屆時整體年產能有望超過700億元。

臨港總部大樓的落成，是中微公司發展歷程中的重要里程碑。作為公司研發與生產一體化的核心樞紐，臨港基地將承載中微在刻蝕設備、薄膜設備等領域的前沿技術研發與規模化生產任務。

尹志堯介紹，中微公司已在全球170多個客戶生產線上部署超過8800個反應臺，過去14年累計裝機數量增長超過35%。公司人均銷售額達到455萬元人民幣（約合65萬美元），這一水平已達到國際領先半導體設備企業的最佳水準。

在研發方面，中微公司2025年研發投入達37.4億元，占營收比例高達30.2%，這一比例遠高于科創板和集成電路企業的平均研發投入水平。公司開發項目涵蓋六大類，超過20款新設備，持續保持高強度的技術創新投入。

“中微大廈”外景

37種成熟設備量產，未來五年覆蓋60%高端設備

中微公司的產品布局已覆蓋半導體設備多個核心品類。截至目前，公司已有37種成熟的設備在大生產線實現量產，且有批量訂貨。

在刻蝕設備領域，中微公司開發的CCP（電容耦合等離子體）高能等離子體和ICP（電感耦合等離子體）低能等離子體刻蝕兩大類，包括20多種細分刻蝕設備，已被廣泛應用于國內和國際一線客戶，可覆蓋從65納米到3納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用。截至2025年底，公司刻蝕設備反應臺全球出貨量超過6800臺，市占率持續穩步提升。

尹志堯在慶典上詳細闡述了未來五年的產品覆蓋目標：

• 等離子刻蝕機：覆蓋絕大部分品類
• 薄膜設備：覆蓋絕大部分品類
• 2.0設備：覆蓋大部分品類
• 濕法設備：覆蓋大部分品類

整體而言，公司計劃在未來五年內覆蓋至少60%的高端設備品類，涵蓋100多種半導體高端設備，成為全球產品覆蓋率最高的半導體設備企業。

這一目標的底氣，來自于中微公司在刻蝕設備領域已建立的成熟產品體系和技術積累。

華虹、通富微電等重量級企業站臺

慶典當天，多家半導體產業鏈重量級企業高管親臨現場，彰顯了中微在國產半導體設備生態中的核心地位。

華虹宏力董事長兼總裁白鵬在致辭中表示，長期以來，華虹與中微在晶圓制造與核心設備上下游緊密聯動，共同推進國產裝備在制造線落地應用。"當下半導體行業機遇與挑戰并存，構建自主可控、安全穩健的產業鏈，是共同的使命。面向未來，將繼續深化與中微的戰略合作，深化聯合研發，加速國產設備的迭代及規模化應用。"

通富微電董事長石磊表示，22年來，中微已成長為國內半導體設備領域的創新標桿企業。在先進封裝這一關鍵賽道上，中微也在加快布局步伐。未來通富微電期待與中微在先進封裝領域合作奮進，雙向賦能，共同完善產業鏈生態，合力補齊產業鏈短板。

“中微大廈”夜景

2025年業績亮眼，2035年達到第一梯隊

中微公司最新披露的2025年年報顯示，公司全年營收達123億元，同比增長36%，經營業績創下歷史新高；凈利潤21億元，較上年增加約4億元，同比增長30%。

在半導體設備行業，中微公司已成為國產替代進程中的重要力量。從刻蝕設備到薄膜設備，從先進封裝到濕法清洗，中微正逐步構建起一個覆蓋半導體制造核心環節的設備平臺。展望2035年，中微公司要在規模、產品競爭力和客戶滿意度三個方面，同時達到全球第一梯隊半導體設備公司的水平。

這一愿景并非首次提出。在今年4月1日舉辦的2025年度業績說明會上，尹志堯已披露過相似布局。當時他表示，希望到2035年，公司同時在規模、產品競爭力、客戶滿意度方面，成為全球第一梯隊的半導體設備公司。