
5月18日,全球第一大半導體硅片廠商信越化學(Shin-Etsu Chemical)官網(wǎng)宣布,他們將擴大其GaN量產(chǎn)系統(tǒng),加速氮化鎵外延生長襯底的商業(yè)化。
信越表示,他們在2019年與美國Qromis開展了第一次合作,雙方就制造 GaN 襯底材料的專利 Qromis Substrate Technology (QST?) 簽訂了許可協(xié)議。信越負責生產(chǎn)QST襯底和GaN-on-QST外延晶片,并借助QST補充其現(xiàn)有的GaN-on-Si產(chǎn)品陣容。而在信越此次的擴產(chǎn)中,它將與Qromis繼續(xù)展開深入合作,通過其專有技術(shù)改進6吋和8吋的 QST襯底供應系統(tǒng),要將產(chǎn)量翻倍,以滿足市場快速增長的需求。根據(jù)Qromis的文件介紹,他們已經(jīng)發(fā)布了6英寸和8英寸的QST襯底,以及具有5微米和10微米GaN層的“模板”,產(chǎn)品良率為90%。
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“三代半風向”此前報道過,比利時研究實驗室imec開發(fā)了1200V的氮化鎵技術(shù),硬擊穿超過1800V,該成果的實現(xiàn)就是基于Qromis公司的200mm QST?襯底。信越化學成立于1926年,其半導體硅片市場份額常年位居全球第一。旗下兩個生產(chǎn)半導體硅片的子公司Shin-Etu Handotai與Sanken Electric 擁有著關(guān)于GaN 外延生長技術(shù)方面的專業(yè)知識。信越還表示,在未來將持續(xù)推出大直徑相關(guān)產(chǎn)品,包括300mm(12吋) 直徑的GaN產(chǎn)品,為實現(xiàn)節(jié)能、可持續(xù)發(fā)展的社會做出貢獻。插播:更多全球GaN產(chǎn)業(yè)布局,盡在《2021第三代半導體調(diào)研白皮書》,掃碼可搶先閱讀!
國內(nèi)GaN企業(yè)營收超15億!多家企業(yè)加碼
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