G3F 系列針對高速開關(guān)性能進行了優(yōu)化，與 CCM TPPFC 系統(tǒng)中的競爭產(chǎn)品相比，硬開關(guān)性能系數(shù) (FOM) 提高了 40%。這將使下一代 AI 電源單元 (PSU) 的功率提高到 10 kW，每機架功率從 30 kW 提高到 100-120 kW。
G3F GeneSiC MOSFET 采用專有的“溝槽輔助平面”技術(shù)開發(fā)而成，性能優(yōu)于溝槽 MOSFET，同時還具有比競爭對手更出色的堅固性、可制造性和成本。G3F MOSFET 具有高效率和高速性能，外殼溫度可降低 25°C，使用壽命比其他供應(yīng)商的 SiC 產(chǎn)品長 3 倍。
“溝槽輔助平面”技術(shù)可實現(xiàn) R?DS(ON)隨溫度變化的極低增量，從而在整個工作范圍內(nèi)實現(xiàn)最低的功率損耗，并且在高溫實際操作下與競爭產(chǎn)品相比， R?DS(ON)可降低高達 20%。
此外，所有 GeneSiC MOSFET 均具有已公布的最高級別的 100% 測試雪崩能力、長 30% 的短路耐受時間和緊密的閾值電壓分布，易于并聯(lián)，GeneSiC MOSFET 是高功率、快速上市應(yīng)用的理想選擇。
Navitas 開發(fā)了一種新的高功率密度 AI 服務(wù)器 PSU 參考設(shè)計。該設(shè)計采用 CRPS185 外形尺寸，使用額定電壓為 650 V、40mOhms 的 G3F FET 實現(xiàn)交錯式 CCM TP PFC 拓撲。LLC 級的 GaNSafe? 電源 IC 可提供 138 W/inch3 的功率密度和超過 97% 的峰值效率，符合歐洲目前要求的“Titanium Plus”效率標準。
Navitas 在電動汽車市場推出的創(chuàng)新型 22 kW、800V 雙向 OBC 和 3KW DC-DC 轉(zhuǎn)換器采用 1,200 V/34 mOhm (G3F34MT12K) G3F FET。這使轉(zhuǎn)換器的功率密度達到 3.5 kW/L，峰值效率達到 95.5%。
SiC 技術(shù)和運營高級副總裁 Sid Sundaresan 博士指出：“G3F 為高效、低溫運行的 SiC 性能樹立了新標準，同時還為高功率、高壓力系統(tǒng)提供了高可靠性和穩(wěn)健性。我們正在突破 SiC 的極限，開關(guān)速度高達 600 kHz，硬開關(guān)性能系數(shù)比競爭對手高出 40%。”
6.26-28日，我們在無錫舉辦的IPF 2024行業(yè)會議上，納微半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)李賓將與會并發(fā)表演講《氮化價與碳化硅驅(qū)動AI與數(shù)據(jù)中心的電源創(chuàng)新》。誠邀各位行業(yè)同仁蒞臨參與！
IPF?2024?第二屆碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測試大會
暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇?
——?穿越周期 | 韌性增長
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