三星擬開發(fā)移動版HBM，將結(jié)合VCS與FOWLP封裝技術(shù)

5月18日消息，據(jù)韓國媒體ETnews報(bào)道，三星電子正在開發(fā)一種獨(dú)特的封裝技術(shù)，試圖將目前僅用于AI服務(wù)器的高帶寬內(nèi)存（HBM）引入智能手機(jī)和平板電腦，目標(biāo)是在不顯著增加空間占用和功耗的前提下，大幅提升移動設(shè)備的端側(cè)AI能力。

傳統(tǒng)移動DRAM通常采用銅線鍵合技術(shù)，但其I/O端子數(shù)量僅有128至256個(gè)，在提升效率和降低發(fā)熱時(shí)容易產(chǎn)生嚴(yán)重的信號損耗。為突破這一瓶頸，三星計(jì)劃融合兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)：超高長寬比銅柱與扇出型晶圓級封裝（FOWLP），使HBM能夠在移動設(shè)備中順利運(yùn)行。

三星自主研發(fā)的垂直銅柱堆疊（Vertical Copper Post Stack，簡稱VCS）技術(shù)，通過將DRAM以階梯式結(jié)構(gòu)堆疊，并用銅柱填補(bǔ)間隙，實(shí)現(xiàn)了在有限空間內(nèi)的HBM堆疊與運(yùn)行。目前，三星已將VCS封裝中銅柱的長寬比從此前的3:1至5:1大幅提升至15:1至20:1，以此提高帶寬表現(xiàn)。

然而，長寬比的提高意味著銅柱直徑變得更細(xì)，當(dāng)直徑低于10微米時(shí)，銅柱可能出現(xiàn)彎曲甚至斷裂的問題。此時(shí)，F(xiàn)OWLP技術(shù)便成為關(guān)鍵——它通過向外延伸銅線結(jié)構(gòu)，在提高整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度與可靠性的同時(shí)，還能增加I/O端子數(shù)量，進(jìn)一步帶來約30%的帶寬提升。

由于移動版HBM尚處于開發(fā)階段，具體商用時(shí)間尚未確定。從目前規(guī)劃節(jié)奏來看，三星最快可能在Exynos 2800中率先導(dǎo)入這項(xiàng)技術(shù)。據(jù)傳，Exynos 2800將是三星首款搭載自研GPU的SoC；另一個(gè)可能的落地節(jié)點(diǎn)則是后續(xù)的Exynos 2900處理器。

此外，有傳聞稱蘋果正在研究將HBM技術(shù)引入iPhone，但尚不確定是否會向三星采購相關(guān)方案；華為同樣在探索這項(xiàng)技術(shù)，不過三星是否愿意進(jìn)入中國OEM廠商供應(yīng)鏈，仍存在較高不確定性。

編輯：芯智訊-浪客劍